封装模具结构制造技术

技术编号:12441617 阅读:79 留言:0更新日期:2015-12-04 03:27
一种封装模具结构,适用于各种芯片封装,主要利用在封装模具组的上盖内腔顶面,利用非刚性材质设置有一层缓冲层,以避免芯片组组装完成后在进行封装时,会因为芯片组与封装模具组的上盖内腔间高度差的问题,而造成芯片组的芯片在封装过程中因受上盖强力压迫造成破裂,或发生需要经过二次加工清除等情况,而能有效提高产品合格率及降低封装成本外,还能提高封装完成后的芯片模块的散热性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种封装模具结构,特别是一种适用于各种芯片封装用的封装模具。
技术介绍
请参阅图1至图3所示,芯片组2主要包括有导线架21、芯片22、金属导电构件23及金属连结线26,其中,导线架21与芯片22下方会利用一层粘着剂25将芯片22固定于导线架21的上方,然后在芯片与金属导电构件23之间也会利用一层粘着剂24将金属导电构件23固定于芯片22的上方,而每个构件间的连结及粘着剂24、25的涂布都是利用机器一贯作业完成,然而不论是机器完成或是人工完成,粘着剂的涂布都会有数量多寡的些许差异,因此造成整个芯片组2在制作完成并烘烤定型后,每个芯片组2的高度H都会有些微差异,然而封装模具组I 一般分为上盖11与下座12,上盖11呈内空状,内部形成有模具内腔13,在芯片组2的封装过程中就是必须将芯片组2的导线架21部分放置于封装模具组I的下座12上方,然后将封装模具组I的上盖覆盖于芯片组2上进行灌注封装,正常状况下,芯片模具组I于组装固定完成后,扣除导线架21后的高度H必须完全等于封装模具组I的上盖11的内腔13高度T,这样在灌注封装过程中,芯片22不会因为芯片组2的高度H于封装模具组I的上盖11的内腔13高度,在压力压迫下造成芯片22的碎裂,也不会因为芯片组2的高度H小于封装模具组I的上盖11的内腔13高度,而在封装过程中让封装胶体(图中未展示)溢布于金属导电构件23的上层,而需要做事后清理加工以避免散热性受限,但是粘着剂24、25的涂布量会有误差值的产生,因此没有办法控制每次芯片组2组装完成后的高度H—定会完全等于封装模具组I的上盖11的内腔13高度T,而容易造成前述困扰结构。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是针对现有技术的上述问题,提供一种封装模具结构,除了能有效解决高度差异的问题外,还能有效避免芯片在封装过程中受高压压迫碎裂或金属导电构件在封装过程后还需要清洁加工,进而提高产品合格率、封装速率及降低成本。为了实现上述目的,本技术提供了一种封装模具结构,其中,包括:—芯片组,其中设有一导线架,在该导线架的上方固设有一芯片,该导线架与该芯片利用粘着剂予以固设;在该芯片的上方固设有一金属导电构件,而该金属导电构件与该芯片间利用粘着剂予以粘合固定,且该金属导电构件具有使该芯片与该导线架达到电性连结的引脚部;—用于该芯片与该导线架的电性连结的金属连结线,一端连结该芯片的顶端,另一端连结该导线架;一封装模具组,包括有上盖及下座,下座的上表面供该芯片组的导线架放置;该上盖为内空状,内部形成有内腔,且于该上盖的内顶面设有一层用于缓冲该上盖覆盖于该芯片组上进行封装时的压迫力的缓冲层。上述的封装模具结构,其中,该缓冲层为非刚性材质。上述的封装模具结构,其中,该缓冲层为硅胶、泡棉、塑胶或具有弹力回复的原料。本技术的有益功效在于:本技术适用于各种芯片封装的封装模具,主要利用在封装模具组的上盖内腔顶面,利用非刚性材质设置有一层缓冲层,有效解决芯片组于封装过程中可能产生的碎裂及脏污等冋题外,进而提尚芯片t旲块合格率、提尚制作速率、降低封装成本及提尚芯片t旲块整体散热性等优点。以下结合附图和具体实施例对本技术进行详细描述,但不作为对本技术的限定。【附图说明】图1为现有技术封装模具结构的芯片组连同封装模具组的侧视分解示意图;图2为现有技术封装模具结构的封装模具组的侧视组合示意图;图3为现有技术封装模具结构的芯片组的侧视组合示意图;图4为本技术封装模具结构的芯片组连同封装模具组的侧视分解示意图;图5为本技术封装模具结构的芯片组位于封装模具组内的侧视组合示意图;图6为本技术的封装模具结构的芯片组封装完成的侧视组合示意图。其中,附图标记现有技术封装模具组I上盖11下座12内腔13顶面14芯片组2导线架21芯片22金属导电构件23粘着剂24.25金属连结线26本技术封装模具组10上盖101下座102上表面1021内腔1011内顶面1l2缓冲层1013芯片组20导线架201芯片202金属导电构件203引脚部2031粘着剂204.205金属连结线206【具体实施方式】下面结合附图对本专利技术的结构原理和工作原理作具体的描述:请参阅图4、图5及图6所示,主要包括有一导线架201,在该导线架201的上方固设有一芯片202,该芯片202利用粘着剂205固设于导线架201的上方;在该芯片202的上方亦固设有一金属导电构件(CLIP) 203,该金属导电构件203与芯片202间亦利用粘着剂204予以粘合固定,且该金属导电构件203具有引脚部2031,利用该引脚部2031,可促使芯片202与导线架201达到电性连结;有一金属连结线206,一端连结芯片202顶端,另一端连结导线架201,利用该金属连结线206亦可达到芯片202与导线架201的电性连结;此种同时利用金属导电构件203与金属连结线206与导线架相互形成电性连结,是适用于如绝缘栅双极型晶体管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)或金氧半场效晶体管(M0SFET,Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)等半导体晶体管上,因为这两种晶体管模块在芯片结构上都有源极跟栅极的设计,其中金属导电构件203就是为了连结源极与导线架201之间的电性连结,而金属连结线206则是为了连结栅极与导线架201之间的电性连结;而利用导线架201、芯片202、金属导电构件203、粘着剂204.205及金属连结线206所构成的则为待进行封装的芯片组20 ;有一封装模具组10,包括有上盖101及下座102,下座102的上表面1021可供芯片组20的导线架21放置;上盖101呈内空状,内部具有内腔1011,且于上盖101内腔1011的内顶面1012设有一层缓冲层1013,该缓冲层1013利用非刚性材质加工,如硅胶、泡棉、塑胶等材质软且具有弹力恢复特性的材质;当芯片组20组装完成后,且经由烘烤定型后便要进行芯片组20的封装程序,此时便将芯片组20放置于封装模具组10的下座102的上表面1021上,然后再将封装模具组10的上盖101覆盖于封装模具组10的下座102上,并使芯片组20被密封于封装模具组10的上盖101的内腔1011内,并使芯片组20的导线架201两侧外露,然后进行封胶的灌注封装,诚如现有技术所言,烘烤定型后的芯片组20的高度容易因粘着剂204、205的用量误差值而有些微的差异,并不一定会完全等于封装模具组10的上盖101的内腔1011高度,此时由于本技术在封装模具组10的上盖101的内腔1011的顶面1012设有一层缓冲层1013,且该缓冲层1013的材质由非刚性材质所加工,因此能弥补芯片组20的高度误差值的缺点,当封装模具组10的上盖101覆盖于芯片组20上时,该缓冲层1013便会覆压于芯片组20的金属导电构件203的表层,由于该缓冲层1013由非刚性材质加工且具有弹力,因此能完全贴紧于金属导电构件203的表面但并不会造成压迫力,因此当在进行封胶灌注封装时,封胶并不会渗入金属导电构件203的表面,亦不会因强力的压迫而造成芯片组20的芯片202本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种封装模具结构,其特征在于,包括:一芯片组,其中设有一导线架,在该导线架的上方固设有一芯片,该导线架与该芯片利用粘着剂予以固设;在该芯片的上方固设有一金属导电构件,而该金属导电构件与该芯片间利用粘着剂予以粘合固定,且该金属导电构件具有使该芯片与该导线架电性连结的引脚部;一用于该芯片与该导线架的电性连结的金属连结线,一端连结该芯片的顶端,另一端连结该导线架;一封装模具组,包括有上盖及下座,该下座的上表面供该芯片组的该导线架放置;该上盖为内空状,内部形成有内腔,且于该上盖的内顶面设有一层用于缓冲该上盖覆盖于该芯片组上进行封装时的压迫力的缓冲层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:资重兴
申请(专利权)人:杰群电子科技东莞有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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