【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种CMOS的制造方法，通过去除定义NMOS栅极结构的硬掩膜层，保留PMOS栅极结构上的硬掩膜后通过一次刻蚀在NMOS栅极结构两侧形成低于NMOS栅极结构的第一侧壁，以及在PMOS栅极结构两侧形成高于PMOS栅极结构的第二侧壁，在为形成NMOS栅极金属硅化物提供了更多位置的同时，避免了PMOS栅极形成金属硅化物时多晶硅侧扩散的问题，且简化了工艺流程。【专利说明】CMOS的制造方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种CMOS (Complementary Metal OxideSemiconductor,互补金属氧化物半导体)的制造方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展，为实现高密度、高性能的大规模集成电路，半导体器件尺寸也持续的缩小。伴随器件尺寸的减小，以CMOS为例，源极、漏极以及栅极的电阻值亦相对提高。为了降低电阻值，现有技术中广泛采用低电阻值的金属硅化物用于CMOS的栅极、源极和漏极上，其中，较为常见的制造方法为自对准金属娃化物(Self-Aligned Silicide,Salicide)技术。图1:图1c是典型...
【技术保护点】
一种CMOS的制造方法，包括：提供预定义有NMOS区域及PMOS区域的衬底，并在NMOS区域及PMOS区域之间形成隔离结构；在所述衬底上依次形成氧化层、多晶硅层和硬掩膜层，图案化所述硬掩膜层并对所述多晶硅层及氧化层进行刻蚀，以分别形成NMOS及PMOS的栅极结构；形成覆盖PMOS栅极结构和PMOS栅极结构上硬掩膜层的阻挡层，暴露NMOS栅极结构及NMOS栅极结构上的硬掩膜层，并刻蚀去除所述NMOS栅极结构上的硬掩膜层；去除所述阻挡层，并形成覆盖所述NMOS栅极结构表面、PMOS栅极结构表面、PMOS栅极结构上的硬掩膜层表面的绝缘层；干法刻蚀所述绝缘层，以在所述NMOS栅极结...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：鲍宇，肖海波，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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