半导体元件的制作方法技术

本发明专利技术公开一种半导体元件的制作方法。首先，提供位于基材上的栅极结构，以及位于栅极结构上的第一氮化物材料层。其次，进行一保护步骤，而在含氧环境下改质该第一氮化物材料层。然后，在基材上形成第二材料层。继续，在保护步骤后进行一移除步骤，而在实质上不削减经改质的第一氮化物材料层的条件下，移除第二氮化物材料层。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件的制作方法
本专利技术涉及一种半导体元件的制作方法。特别是涉及一种先在含氧环境下进行保护步骤以改质第一氮化物材料层，而后再进行一移除步骤，而在实质上不影响经改质的第一材料层的条件下移除一第二氮化物材料层，如此一来即可防止第一氮化物材料层在第二氮化物材料的移除步骤中被实质上削减(slash)。
技术介绍
现有的半导体制作工艺中，希望能增加半导体元件的效能，常用的方法有改变栅极通道的应力，以增加载流子迁移率。也可以使用新的栅极介电材料或是栅极导电材料。但是这两种方法各自都有缺点。例如，会使得制作工艺步骤更加复杂，或是造成与目前制作工艺整合上的困难。因此，仍然需要一种新颖的半导体制作工艺，以克服以上的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种先在无氧的条件下移除光致抗蚀剂，然后在含氧环境下进行保护步骤的综合方法。在无氧的条件下移除光致抗蚀剂不会造成其他材料层的氧化，而在含氧环境下进行的保护步骤可以将第一氮化物材料层改质，使得在移除其他氮化物材料层时，实质上不影响经改质的第一氮化物材料层。如此一来即可防止第一氮化物材料层在移除步骤中被实质上削减(slash)。如此方法可以同时受本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体元件的制作方法，包含：提供一基材，该基材上具有一栅极结构以及围绕该栅极结构的一间隙壁；进行一掺杂步骤，并在一光致抗蚀剂的保护下，在该栅极结构的至少一侧的该基材中形成一浅掺杂漏极；进行一剥除步骤，而在一无氧环境下剥除该光致抗蚀剂；以及在该剥除步骤后进行一保护步骤，而在一含氧环境下改质该间隙壁而得到一改质间隙壁。

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件的制作方法，包含：提供一基材，该基材上具有一栅极结构以及围绕该栅极结构的一间隙壁，其中该间隙壁的表面由氮化硅所组成；进行一掺杂步骤，并在一光致抗蚀剂的保护下，在该栅极结构的至少一侧的该基材中形成一浅掺杂漏极；进行一剥除步骤，而在一无氧环境下剥除该光致抗蚀剂；以及在该剥除步骤后进行一保护步骤，而在一含氧环境下改质该间隙壁而得到一改质间隙壁；形成由氮化硅所组成的一材料层覆盖该栅极结构以及该改质间隙壁；在该保护步骤后进行一移除步骤，以移除一材料层，并实质上不影响该改质间隙壁。2.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中在该保护步骤中氧化该间隙壁，而在该保护步骤后，该间隙壁的表面由氮化硅与一种氧化物所组成。3.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中使用一无氧气体以形成该无氧环境，且该剥除步骤还包含使用一碱性物质清洁该基材、该栅极结构与该间隙壁。4.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中该材料层全面性地(blanketly)形成在该基材上；所述方法还包括：在进行该移除步骤之前，进行一蚀刻步骤，移除部分的该材料层，而使得该材料层于该间隙壁外形成一牺牲间隙壁，并在该牺牲间隙壁两侧外的该基材内分别形成一凹槽；以及进行一选择性外延成长(selectiveepitaxialgrowth,SEG)制作工艺，以在该些凹槽内分别形成一外延层。5.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中该材料层作为提供一应力的一应力层，且全面性地(blanketly)形成在该基材上；所述方法还包括：对该基材进行一预非晶化步骤(pre-amorphorizingimplant)；以及在形成该材料层后，进行一应力转移步骤，使得该基材记忆该应力。6.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中在该移除步骤后，该改质间隙壁的尺寸损失小于5埃。7.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中使用一干式氧化与一湿式氧化其中的至少一种进行该保护步骤。8.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中该保护步骤还包含使用去离子水，以清洁该基材、该栅极结构与该间隙壁。9.一种半导体元件的制作方法，包含：提供没有光致抗蚀剂的一基材，该基材上具有经界定的一栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪庆文，黄志森，周玲君，王益昌，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：