【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种方法，包括：在衬底的第一区域上形成第一功函数金属层；在所述第一区域中的所述第一功函数金属层上以及所述衬底的第二区域上形成金属层；在所述金属层上形成伪层；使所述伪层，所述第一功函数金属层，以及所述金属层图案化，从而在所述衬底的所述第一区域中形成第一栅极结构而在所述衬底的所述第二区域中形成第二栅极结构，其中，所述第一栅极结构包括所述伪层、所述第一功函数金属层以及所述金属层，而所述第二栅极结构包括所述伪层和所述金属层；在形成所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之后，去除所述伪层，从而暴露出所述金属层；以及处理所述金属层。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：庄学理，朱鸣，林慧雯，杨宝如，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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