【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种应力记忆技术中形成应力层的方法，包括：提供具有PMOS和NMOS区域的半导体基底；分别在所述PMOS区域和NMOS区域上形成PMOS栅极和NMOS栅极；在所述半导体基底及所述PMOS栅极和NMOS栅极表面形成第一半导体层，且所述第一半导体层在各所述栅极两侧形成凹槽；在所述凹槽内形成阻挡层，所述阻挡层表面低于所述PMOS和NMOS栅极顶面高度；在垂直于所述半导体基底方向上对所述第一半导体层进行碳离子注入；对所述第一半导体层进行倾斜氧离子注入并退火；利用DHF溶液湿法刻蚀去除部分第一半导体层；去除所述阻挡层；利用干法刻蚀去除所述半导体基底表面和所述PMOS和NMOS栅极顶端的剩余第一半导体层，并以所述PMOS和NMOS栅极侧面剩余的第一半导体层为PMOS和NMOS栅极侧壁层；在所述半导体基底及所述PMOS栅极和NMOS栅极表面形成应力层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：隋运奇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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