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本发明提供了一种应力记忆技术中形成应力层的方法，通过将栅极侧壁制作成垂直于半导体基底的方向上成水平宽度由小到大的锥形侧壁，在不影响后续离子注入工艺的同时，避免了相邻两PMOS和NMOS栅极结构间由于栅极结构顶端间距过小导致两栅极结构间的应力...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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