鳍式场效应管的形成方法技术

技术编号:9277811 阅读:103 留言:0更新日期:2013-10-24 23:57
一种鳍式场效应管的形成方法,包括:在同一工艺步骤中形成位于所述栅极结构两侧的第一外延层和第二外延层,所述第一外延层包裹暴露于基底表面的第一鳍部,所述第二外延层包裹暴露于基底表面的第二鳍部,所述第一外延层和第二外延层均具有第一应力类型;在形成第一外延层和第二外延层后,形成覆盖所述第二外延层、但暴露出第一外延层的掩膜层;以所述掩膜层为掩膜,去除所述第一外延层和部分第一鳍部,形成开口;在所述开口内形成第三外延层,所述第三外延层具有第二应力类型,所述第二应力类型与所述第一应力类型相反。形成CMOS鳍式场效应管时工艺步骤少、工艺简单,生产效率高。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种鳍式场效应管的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底包括第一区域、与所述第一区域相隔的第二区域、以及第一区域和第二区域之间的隔离区;形成贯穿所述第一区域的基底的第一鳍部,以及贯穿所述第二区域的基底的第二鳍部,所述第一鳍部的表面高于所述基底表面,所述第二鳍部的表面高于所述基底表面;形成横跨所述第一鳍部和第二鳍部的栅极结构;形成位于所述栅极结构两侧的第一外延层和第二外延层,所述第一外延层包裹暴露于基底表面的第一鳍部,所述第二外延层包裹暴露于基底表面的第二鳍部,所述第一外延层和第二外延层均具有第一应力类型;在形成第一外延层和第二外延层后,形成覆盖所述第二外延层、但暴露出第一外延层的掩膜层...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:三重野文健
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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