一种双极型晶体管用双层硅外延片的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种双极型晶体管用双层硅外延片的制造方法，与常规双层硅外延片的制造方法相比，其具有如下特点：第一层硅外延片生长前使用HCl抛光工艺去除硅片表面微损伤；第一层硅外延片生长完成后取出硅片对系统进行刻蚀处理；第二层生长前硅片进行清洗保证表面清洁且使用HCl抛光工艺去除表面微损伤，抛光后使用H2进行除杂质处理。所述方法插入了反应室刻蚀步骤，保证外延层电阻率的均匀性和重复性，从而保证了器件的性能和成品率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种双极型晶体管用双层硅外延片的制造方法，其特征在于包括以下步骤：（1）第一层硅外延片生长：将衬底硅片装载入反应室，采用质量转移多晶硅背封技术，在高温下进行长时间HCl腐蚀，腐蚀温度1170?1190℃，时间90?150s，然后在腐蚀后的衬底硅片之上生长第一层硅外延层，生长温度为1190?1210℃，第一层硅外延层的厚度比目标厚度要厚0.1?0.2μm，为第二层硅外延层生长HCl去除留出余量；（2）降温到室温取出上述硅片，使用SC1+SC2溶液对硅片表面进行清洗；（3）第二层硅外延片生长：将上述硅片装载入反应室，升温到HCl所需温度1140?1160℃，对第一层硅外延片进行表面抛光，抛光厚度为0.1?0.2μm，抛光后为清除滞留层中存在的杂质，采用高温大流量H2和正常流量H2交替变化的方法进行吹除，使硅片的近表面层杂质形成杂质耗尽，吸附在硅片和基座上的杂质有足够的能量逃逸出去，去除杂质完成后直接在第一层硅外延片上生长第二层硅外沿片，然后降温取出硅片。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：袁肇耿，薛宏伟，赵丽霞，田中元，许斌武，李永辉，侯志义，
申请(专利权)人：河北普兴电子科技股份有限公司，
类型：发明
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