【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件至少包含具有不同应力类型的两个电阻器，所述电阻器通过上方有无应力层及应力层类型的差异来实现应力类型的不同，所述制作方法包括：利用另外的标记层对所述电阻器作不同标记；根据所述标记层，针对每一类型的电阻器的应力层分别制作掩膜板；利用所述掩膜板进行所述电阻器上方的应力层的制作。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈振兴，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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