半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置，可以实现既能抑制电源电压的电压降又能较大程度确保信号布线资源的电源布线构造。在第1布线层形成有电源电位布线(101a～101d)以及基板电位布线(102a～102d)，在比布线层整体的正中间靠下的下层侧的布线层形成有电源带状布线(103a、103b、104a、104b)。上方通孔部(114)与下方通孔部(112)相比，电源带状布线(103a、103b、104a、104b)延伸的方向上的配置密度变低。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体装置的电源布线构造。
技术介绍
在近年来的半导体装置中，为使电源布线中的电压降最小化，而利用增厚布线膜厚以减小布线电阻的布线层，构成了电源布线。另外，在具有多层布线的微细工艺中，一般将经过厚膜化的布线层形成于上层。为此，成为形成有多个将从上层的电源布线到下层的标准单元(standard cell)等的电源供给目的地连接起来的堆叠通孔(stacked vias)的构造。在专利文献I中公开了下述电源布线构造在构成电源网(power supply mesh) 的电源布线彼此之间，隔着布线层设置具有一层以上的布线的堆叠通孔。在先技术文献专利文献专利文献I :日本特开2008-311570号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题然而，在现有的构造中，由于电源布线构造中所包含的堆叠通孔在比电源布线靠下的下层的布线层中成为布线方向的妨碍，所以降低了信号布线用的布线资源数。即便在专利文献I所记载的电源布线构造中，由于在构成电源网的电源布线之间被构成的堆叠通孔，也会产生信号布线用的布线资源数的降低。为了抑制信号布线资源的降低，优选削减在电源布线构造中所包含的堆叠通孔的个数。其中，若削减堆叠通孔，则相应地电源布线构造中的合成电阻的值会变大，因而产生了电源电压的电压降会进一步变大的其他问题。本专利技术的目的在于提供一种具有既能抑制电源电压的电压降又能较大程度确保信号布线资源的电源布线构造的半导体装置。为了解决技术问题所采用的技术方案在这里，为了不降低信号布线资源、抑制电源电压的电压降，优选尽可能用下层布线层来形成向标准单元列供给电源电位或基板电位的电源带状布线，减少从电源带状布线到电源供给目的地的堆叠通孔的层数。在本专利技术的第I方式中，半导体装置具备基板，将多列标准单元列配置于与第I方向正交的第2方向上，该标准单元列是将多个标准单元在所述第I方向上排列而成的；第I 第n布线层(n为5以上的整数)，在所述基板上按照从所述基板侧起依次层叠的方式形成、且能够配置信号布线；电源电位布线以及基板电位布线，形成于第I布线层、且配置于所述标准单元列之间或所述标准单元列之上；电源带状布线，形成于第m布线层(I <m<n/2)、且在所述第2方向上延伸；下方通孔部，连接所述电源带状布线和所述电源电位布线，并且连接所述电源带状布线和所述基板电位布线；以及上方通孔部，连接所述电源带状布线和形成于第n布线层的上方的电位供给部，所述上方通孔部在所述第2方向上的配置密度低于所述下方通孔部在所述第2方向上的配置密度。根据该方式，在第I 第n布线层之中的第I布线层形成有电源电位布线以及基板电位布线，在比布线层整体的正中间靠下的下层侧的第m布线层形成有电源带状布线。并且，将电源带状布线和电位供给部连接起来的上方通孔部，与将电源带状布线和电源电位布线连接起来且将电源带状布线和基板电位布线连接起来的下方通孔部相比，在电源带 状布线延伸的方向、即第2方向上的配置密度变得更低。根据该构成，可以在不增大电源布线构造中的合成电阻的值的情况下削减通孔部的个数。因此，可以实现既能抑制电源电压的电压降又能较大程度确保信号布线资源的电源布线构造。在本专利技术的第2方式中，半导体装置具备基板，将多列标准单元列配置于与第I方向正交的第2方向上，该标准单元列是将多个标准单元在所述第I方向上排列而成的；第I 第n布线层(n为3以上的整数)，在所述基板上按照从所述基板侧起依次层叠的方式形成、且能够配置信号布线；电源电位布线以及基板电位布线，形成于第I布线层、且配置于所述标准单元列之间或所述标准单元列之上；电源带状布线，形成于第I布线层、且在所述第2方向上延伸并与所述电源电位布线或所述基板电位布线连接；以及上方通孔部，连接所述电源带状布线和形成于第n布线层的上方的电位供给部。根据该方式，在第I 第n布线层的之中的第I布线层形成有电源电位布线以及基板电位布线、和电源带状布线。并且，形成有将电源带状布线和电位供给部连接起来的上方通孔部。根据该构成，可以在不增大电源布线构造中的合成电阻的值的情况下削减上方通孔部的个数。因此，可以实现既能抑制电源电压的电压降又能较大程度确保信号布线资源的电源布线构造。在本专利技术的第3方式中，半导体装置具备基板，将多列标准单元列配置于与第I方向正交的第2方向上，该标准单元列是将多个标准单元在所述第I方向上排列而成的；第I 第n布线层(n为5以上的整数)，在所述基板上按照从所述基板侧起依次层叠的方式形成、且能够配置信号布线；电源电位布线以及基板电位布线，形成于第2布线层、且配置于所述标准单元列之间或所述标准单元列之上；电源带状布线，形成于第I布线层、且在所述第2方向上延伸；下方通孔部，连接所述电源带状布线和所述电源电位布线，并且连接所述电源带状布线和所述基板电位布线；以及上方通孔部，连接所述电源电位布线和形成于第n布线层的上方的电位供给部，并且连接所述基板电位布线和形成于第n布线层的上方的电位供给部，所述上方通孔部的在所述第2方向上的配置密度低于所述下方通孔部的在所述第2方向上的配置密度。根据该方式，在第I 第n布线层之中的第2布线层形成有电源电位布线以及基板电位布线，在其下的第I布线层形成有电源带状布线。并且，将电源电位布线和电位供给部连接起来并将基板电位布线和电位供给部连接起来的上方通孔部，与将电源带状布线和电源电位布线连接起来并将电源带状布线和基板电位布线连接起来的下方通孔部相比，在电源带状布线延伸的方向、即第2方向上的配置密度变得更低。根据该构成，可以在不增大电源布线构造中的合成电阻的值的情况下削减通孔部的个数。因此，可以实现既能抑制电源电压的电压降又能较大程度确保信号布线资源的电源布线构造。专利技术效果 根据本专利技术，可以实现既能抑制电源电压的电压降又能较大程度确保信号布线资源的电源布线构造。附图说明图I是表示第I实施方式涉及的半导体装置的构成的俯视图。图2是表示第I实施方式涉及的半导体装置的构成的剖视图。图3是表示配置于各实施方式涉及的半导体装置的标准单元的构成的图。图4是表示第2实施方式涉及的半导体装置的构成的俯视图。图5是表示第2实施方式涉及的半导体装置的构成的剖视图。图6是表示第3实施方式涉及的半导体装置的构成的俯视图。图7是表示第3实施方式涉及的半导体装置的构成的剖视图。图8是表示第4实施方式涉及的半导体装置的构成的俯视图。图9是表示第4实施方式涉及的半导体装置的构成的剖视图。图10是表示第5实施方式涉及的半导体装置的构成的俯视图。图11是表示第5实施方式涉及的半导体装置的构成的剖视图。图12是表示比较例涉及的半导体装置的构成的图。图13是表示电源布线电阻的计算模型的图。具体实施例方式以下，参照附图来说明本专利技术的实施方式涉及的半导体装置。(第I实施方式)图I是表示第I实施方式涉及的半导体装置的构成的俯视图(布局图案的简略图)，图2(a)是图I的X-X’剖视图，图2(b)是图I的Y-Y’剖视图。在图I以及图2中，为了简化而省略了第I布线层以下的记载，但是具有从第I布线层起经由通孔等而向晶体管的源极、阱、二极管、电容元件等供电的构造。关于以下的半导体装置的构成图也是同样的。在图I以及图2所示的半导体装置100中，在基板120上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：田丸雅规，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：