一种用于将该双闸极与双多晶矽电容器制程整合制造技术

本发明专利技术提供一种用于将该双闸极与双多晶矽电容器制程整合，以制造一类比电容器积体电路装置的方法系被说明。设置一个隔离区，以将半导体基板中的一第一主动区与一第二主动区隔离。一个第一闸极氧化物层被形成于二个主动区中的半导体基板上。一个第一多晶矽层被沈积于该第一闸极氧化物层与隔离层上。包含一个氧化物层与一个氮化物层的一电容器介电质层被沈积于该第一多晶矽层上。未为遮罩所覆盖的该电容器介电质层与第一多晶矽层被蚀刻移除，而形成一个第一多晶矽闸极电极于该第一区中，以及在隔离区上方形成一多晶矽下电容板与位于下电容板上的电容器介电质。在第二区中的该第一闸极氧化物被移除，以及一个较薄的第二闸极氧化物层被形成于该第二区中。一个第二多晶矽层被沈积于该第二闸极氧化物层、下电容板与电容器介电质以及该第一多晶矽闸电极上方。未为遮罩所覆盖的该第二多晶矽层被蚀刻移除，而形成一个第二多晶矽闸极电极于该第二区中，以及形成一个上电容板在该下电容板上方，其中该电容器介电质位于该上、下电容板之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电容器制程整合，尤其是一种用于将该双闸极与双多晶矽电容器制程整合。
技术介绍
本专利技术提供一种用于将该双闸极与双多晶矽电容器制程整合，以制造一类比电容器积体电路装置的方法系被说明。设置一个隔离区，以将半导体基板中的一第一主动区与一第二主动区隔离。一个第一闸极氧化物层被形成于二个主动区中的半导体基板上。一个第一多晶矽层被沈积于该第一闸极氧化物层与隔离层上。包含一个氧化物层与一个氮化物层的一电容器介电质层被沈积于该第一多晶砂层上。未为遮罩所覆盖的该电容器介电质层与第一多晶矽层被蚀刻移除，而形成一个第一多晶矽闸极电极于该第一区中，以及在隔离区上方形成一多晶砂下电容板与位于下电容板上的电容器介电质。在第二区中的该第一闸极氧化物被移除，以及一个较薄的第二闸极氧化物层被形成于该第二区中。一个第二多晶 矽层被沈积于该第二闸极氧化物层、下电容板与电容器介电质以及该第一多晶矽闸电极上方。未为遮罩所覆盖的该第二多晶矽层被蚀刻移除，而形成一个第二多晶矽闸极电极于该第二区中，以及形成一个上电容板在该下电容板上方，其中该电容器介电质位于该上、下电容板之间。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术提供一种用于将该双闸极与双多晶矽电容器制程整合。本专利技术提供一种用于将该双闸极与双多晶矽电容器制程整合，以制造一类比电容器积体电路装置的方法系被说明。设置一个隔离区，以将半导体基板中的一第一主动区与一第二主动区隔离。一个第一闸极氧化物层被形成于二个主动区中的半导体基板上。一个第一多晶矽层被沈积于该第一闸极氧化物层与隔离层上。包含一个氧化物层与一个氮化物层的一电容器介电质层被沈积于该第一多晶砂层上。未为遮罩所覆盖的该电容器介电质层与第一多晶矽层被蚀刻移除，而形成一个第一多晶矽闸极电极于该第一区中，以及在隔离区上方形成一多晶砂下电容板与位于下电容板上的电容器介电质。在第二区中的该第一闸极氧化物被移除，以及一个较薄的第二闸极氧化物层被形成于该第二区中。一个第二多晶矽层被沈积于该第二闸极氧化物层、下电容板与电容器介电质以及该第一多晶矽闸电极上方。未为遮罩所覆盖的该第二多晶矽层被蚀刻移除，而形成一个第二多晶矽闸极电极于该第二区中，以及形成一个上电容板在该下电容板上方，其中该电容器介电质位于该上、下电容板之间。一种用于制造一类比电容器积体电路装置的方法，包含有设置一个隔离区，以将半导体基板中的一第一主动区与一第二主动区隔离；形成一个第一闸极氧化物层于该第一与第二主动区中的该半导体基板上；沈积一个第一多晶砂层于该第一闸极氧化物层与该隔离层上；沈积一个氧化物层于该第一多晶矽层上；沈积一个氮化物层于该氧化物层上；蚀刻移除未为遮罩所覆盖的该氮化物层、该氧化物层与该第一多晶矽层，而形成一个第一多晶矽闸极电极于该第一主动区中，以及在该隔离区上方形成一多晶矽下电容板与位于下电容板上的电容器介电质(包含该氧化物层与该氮化物层)；移除在该第之主动区中的该第一闸极氧化物层；形成一个第二闸极氧化物层于该第二主动区中的该半导体基板上，其中该第二闸极氧化物层具有小于该第一闸极氧化物层之厚度的厚度；沈积一个第二多晶矽层于该第二闸极氧化物层、该下电容板与电容器介电质以及该第一多晶矽闸电极上方；蚀刻移除未为遮罩所覆盖的该第二多晶矽层，而形成一个第二多晶矽闸极电极于该第二主动区中，以及形成一个上电容板在该下电容板上方，其中该电容器介电质位于该上、下电容板之 间；以及完成该类比电容器积体电路装置，其中该隔离区为一个场氧化物区，如申请上述之，中该氧化物层包含氧化矽，并具有约100至200埃的厚度。本文档来自技高网...

【技术保护点】
种用于制造一类比电容器积体电路装置的方法，包含有：设置一个隔离区，以将半导体基板中的一第一主动区与一第二主动区隔离；形成一个第一闸极氧化物层于该第一与第二主动区中的该半导体基板上；沈积一个第一多晶矽层于该第一闸极氧化物层与该隔离层上；沈积一个氧化物层于该第一多晶矽层上。

【技术特征摘要】
1.种用于制造一类比电容器积体电路装置的方法，包含有设置一个隔离区，以将半导体基板中的一第一主动区与一第二主动区隔离；形成一个第一闸极氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：费金华，
申请(专利权)人：吴江华诚复合材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：