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本发明提供一种用于将该双闸极与双多晶矽电容器制程整合，以制造一类比电容器积体电路装置的方法系被说明。设置一个隔离区，以将半导体基板中的一第一主动区与一第二主动区隔离。一个第一闸极氧化物层被形成于二个主动区中的半导体基板上。一个第一多晶矽层被...
该专利属于吴江华诚复合材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过吴江华诚复合材料科技有限公司授权不得商用。

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