半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置。局部布线(12)与杂质扩散区域(11)上表面相接地形成且延伸到电位供给布线(13)之下。而且，通过接触孔(14a)来电连接局部布线(12)与电位供给布线(13)。即，为了实现从杂质扩散区域(11)到电位供给布线(13)的电连接而利用与杂质扩散区域上表面相接地形成的局部布线(12)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体装置，尤其涉及实现高速化及高集成化的半导体装置。
技术介绍
在现有的半导体装置中，使由杂质扩散层形成的晶体管的源极区域一直延伸到标准単元边界，通过与标准単元列间共有的电源布线连接，从而确保了标准单元内的布线资源并实现了标准单元的面积缩小。图8是表示现有的半导体装置的构成例的图，(a) (C)是布局俯视图，(d)是(a)的线Y81-Y81’处的剖视图、(e)是(b)的线Y82-Y82’处的剖视图。图8的构成实现了图9的电路图。在图9中，在电源布线VSS与端子A之间并联连接有2个NMOS晶体管901，并在电源布线VSS与端子B之间串联连接有2个NMOS晶体管902。在图8(a) (c)中，位于电源布线VSS的图面上侧的2个晶体管相当于NMOS晶体管901，位于图面下侧的2个晶体管相当于NMOS晶体管902。在图8(a)中，成为经由电位供给布线及接触孔而从被设置在与相邻的晶体管的边界附近的电源布线VSS向各晶体管的源极区域供给电位的结构。在此，在电源布线VSS的正下方设置有杂质扩散区域及接触孔，由此成为对电源布线VSS进行加固的结构。在图8(b)中，成为通过将各晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：田丸雅规，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：