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本发明公开了一种双极型晶体管用双层硅外延片的制造方法，与常规双层硅外延片的制造方法相比，其具有如下特点：第一层硅外延片生长前使用HCl抛光工艺去除硅片表面微损伤；第一层硅外延片生长完成后取出硅片对系统进行刻蚀处理；第二层生长前硅片进行清洗保...
该专利属于河北普兴电子科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河北普兴电子科技股份有限公司授权不得商用。

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