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一种鳍式场效应管的形成方法,包括:在同一工艺步骤中形成位于所述栅极结构两侧的第一外延层和第二外延层,所述第一外延层包裹暴露于基底表面的第一鳍部,所述第二外延层包裹暴露于基底表面的第二鳍部,所述第一外延层和第二外延层均具有第一应力类型;在形成...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种鳍式场效应管的形成方法,包括:在同一工艺步骤中形成位于所述栅极结构两侧的第一外延层和第二外延层,所述第一外延层包裹暴露于基底表面的第一鳍部,所述第二外延层包裹暴露于基底表面的第二鳍部,所述第一外延层和第二外延层均具有第一应力类型;在形成...