半导体器件的制造方法及半导体器件技术

本发明专利技术的课题为提供一种CMOS?SGT的制造方法及属于其结果的SGT的构造，是属于栅极后制制程，且从一个虚似图案形成nMOS?SGT及pMOS?SGT。本发明专利技术是以具有下述步骤来解决上述课题：在衬底上形成第一及第二鳍状硅层，且在前述第一及第二鳍状硅层的周围形成第一绝缘膜，并在前述第一及第二鳍状硅层的上部形成第一及第二柱状硅层的步骤；将杂质植入前述第一柱状硅层上部、前述第一鳍状硅层上部及前述第一柱状硅层下部而形成n型扩散层的步骤；将杂质植入前述第二柱状硅层上部、前述第二鳍状硅层上部及前述第二柱状硅层下部而形成p型扩散层的步骤；制作栅极绝缘膜与第一及第二多晶硅栅极电极的步骤；于前述第一及前述第二鳍状硅层上部的前述扩散层上部形成硅化物的步骤；以及堆积层间绝缘层，且将前述第一及第二多晶硅栅极电极予以露出，并在对前述第一及前述第二多晶硅栅极电极进行蚀刻后，堆积金属而形成第一及第二金属栅极电极的步骤。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：舛冈富士雄，中村广记，
申请(专利权)人：新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司，
类型：
国别省市：