一种具有应力覆盖层的CMOS器件制作方法技术

本发明专利技术提供了一种具有应力覆盖层的CMOS器件的制作方法，该方法在沉积具有张应力的第一氮化硅薄膜之前，在晶片器件面沉积阻挡层，阻挡层至少同时覆盖在N阱和P阱上方；在沉积具有张应力的第一碳化硅薄膜之后，对其紫外线处理并在表面沉积氧化物层；接着依次刻蚀去除N阱区域上方的部分氧化物层、第一碳化硅薄膜和阻挡层后，在N阱上方露出的层叠栅极和金属硅化物表面以及P阱上方的部分氧化物层表面沉积具有压应力的第二氮化硅薄膜。本发明专利技术的方法不但降低了UV?Cure过程中对PMOS器件的性能损害，提高了PMOS器件性能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种具有应力覆盖层的CMOS器件的制作方法，提供一具有硅衬底的晶片，所述硅衬底中具有浅沟槽隔离、P阱和N阱结构，所述P阱1和N阱区域分别具有层叠栅极、源极、漏极和金属硅化物，位于硅衬底表面的所述层叠栅极由栅极电介质层和栅极组成、所述源极和漏极分别位于所述层叠栅极两侧的所述硅衬底中，所述金属硅化物位于源极和漏极表面，其特征在于，该方法包括：所述晶片的器件面沉积阻挡层；所述阻挡层表面沉积具有张应力的第一氮化硅薄膜；对所述具有张应力的第一氮化硅薄膜进行紫外线处理；在经过紫外线处理后的所述具有张应力的第一氮化硅薄膜表面沉积氧化物层；第一光刻后，依次刻蚀去除N阱上方的部分氧化物层、第一氮化硅薄膜和阻挡层...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张彬，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：