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本发明提供了一种具有应力覆盖层的CMOS器件的制作方法，该方法在沉积具有张应力的第一氮化硅薄膜之前，在晶片器件面沉积阻挡层，阻挡层至少同时覆盖在N阱和P阱上方；在沉积具有张应力的第一碳化硅薄膜之后，对其紫外线处理并在表面沉积氧化物层；接着依...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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