【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种应力记忆技术的CMOS器件制作方法，应用在具有硅衬底和NMOS和PMOS器件的晶片上；在所述晶片器件面沉积阻挡层之后，其特征在于，该方法还包括：所述阻挡层进行紫外线处理；所述阻挡层表面进行致密化处理；在处理后的阻挡层上沉积具有拉应力的氮化硅层；所述晶片退火；光刻后刻蚀去除所述氮化硅层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张彬，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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