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本发明提供了一种应力记忆技术的CMOS器件制作方法，该方法在沉积具有拉应力的氮化硅层之前，在晶片器件面沉积阻挡层，阻挡层至少同时覆盖在N阱和P阱上方；对阻挡层进行紫外线和表面氮化或氧化处理，随后沉积拉应力的氮化硅层，是否选择性刻蚀去除PMO...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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