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本发明公开一种半导体元件的制作方法。首先，提供位于基材上的栅极结构，以及位于栅极结构上的第一氮化物材料层。其次，进行一保护步骤，而在含氧环境下改质该第一氮化物材料层。然后，在基材上形成第二材料层。继续，在保护步骤后进行一移除步骤，而在实质上...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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