双金属栅极CMOS器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种双金属栅极CMOS器件的制造方法，具体包括：在第一栅极凹陷和第二栅极凹陷内形成第一类型金属功函数调节层，在所述第一栅极凹陷和第二栅极凹陷内形成第二类型功函数金属扩散源层；在第一栅极凹陷和第二栅极凹陷中形成间隙填充金属；形成遮蔽第一类型器件所在区域的加热隔离层；对所述第一类型器件和第二类型器件所在区域进行热退火，将第一类型金属功函数调节层转化为第二类型金属功函数调节层。本发明专利技术还提供了一种利用选择加热形成不同功函数的双金属栅极CMOS器件。本发明专利技术工艺简单且不会对高K栅介质层造成损伤，避免了CMOS中复杂的不同功函数金属栅集成工艺。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种双金属栅极CMOS器件的制造方法，该方法包括以下步骤：a)在第一栅极凹陷(400a)和第二栅极凹陷(400b)内形成第一类型金属功函数调节层(500)，其中，所述第一栅极凹陷(400a)用于形成第一类型器件的栅极，所述第二栅极凹陷(400b)用于形成第二类型器件的栅极；b)在所述第一栅极凹陷(400a)和第二栅极凹陷(400b)内形成第二类型功函数金属扩散源层(510)；c)在第一栅极凹陷(400a)和第二栅极凹陷(400b)中形成间隙填充金属(520)；d)形成遮蔽第一类型器件所在区域的加热隔离层(530)；e)对所述第一类型器件和第二类型器件所在区域进行热退火，使位于所述第二类型器件所...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：殷华湘，付作振，徐秋霞，陈大鹏，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：