通过在应力衬垫方案中实作额外的清洗工序所增加的晶体管效能制造技术

本发明专利技术涉及通过在应力衬垫方案中实作额外的清洗工序所增加的晶体管效能，当在形成在晶体管上的高应力介电材料的的基础上形成复杂的晶体管时，应力传导效率可通过在沉积该高应力材料之前减少栅极电极结构的间隔件结构的尺寸而增加。在沉积该高应力材料之前，额外的清洗工序可实行以减少任何金属污染物的存在，特别在该栅极电极结构的附近，否则该金属污染物将导致增加的边缘电容。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种方法，包括：从晶体管的栅极电极结构的侧壁间隔件结构去除材料，且该侧壁间隔件结构包括金属硅化物；在去除该侧壁间隔件结构的该材料之后，执行湿式化学清洗工序；以及在执行该湿式化学清洗工序后，形成应力引发层在该晶体管上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：T·沙伊佩，P·巴尔斯，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：