半导体封装及其形成方法技术

技术编号:9312549 阅读:86 留言:0更新日期:2013-11-06 18:52
发明专利技术构思提供了半导体封装及其形成方法。该半导体封装包括覆盖半导体芯片的至少一个侧壁的缓冲层。缓冲层被模制层覆盖。因此,可改善半导体封装的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体封装,包括:第一半导体芯片,包括彼此相反的第一表面和第二表面,所述第一半导体芯片具有第一导电图案和第一钝化层,该第一钝化层覆盖所述第一表面且具有暴露所述第一导电图案的开口;缓冲层,覆盖所述第一半导体芯片的顶表面和侧壁;模制层,覆盖所述缓冲层;以及第一再分布层,设置在所述第一钝化层的底表面上,所述第一再分布层电连接到所述第一导电图案。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:朴辰遇李锡贤
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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