【技术实现步骤摘要】
示例实施例总体上涉及半导体集成电路，并且更具体地涉及包括检测结构的半导体器件。
技术介绍
1、可以通过在半导体材料的晶片中重复形成图案来制造集成电路。晶片可以被切割或分成多个半导体管芯，并且相应的半导体管芯可以被封装成半导体芯片。在切割和封装工艺中，半导体管芯可能会出现裂纹。为了降低缺陷产品的产量，对半导体进行检查以检测诸如裂纹等缺陷。
技术实现思路
1、一些示例实施例可以提供一种包括能够检测各种缺陷的检测结构的半导体器件。
2、根据一些示例实施例，一种半导体器件包括半导体管芯、检测结构、路径控制电路和检测电路。半导体管芯包括：其中设置有半导体集成电路的中心区域和围绕中心区域的外部区域；检测结构，设置在外部区域中；路径控制电路，包括被配置为控制检测结构的电连接的多个开关；以及检测电路，被配置为基于差分信号来确定半导体管芯中是否存在缺陷以及缺陷的位置，差分信号对应于经由路径控制电路分别在正向和反向上通过检测结构传播测试输入信号而获得的正向测试输出信号与反向测试输出信号之间的差。
3、根据一些示例实施例，一种半导体器件包括：第一半导体管芯，堆叠在第二半导体管芯上，第一半导体管芯和第二半导体管芯中的每一个包括中心区域和围绕中心区域的外部区域；存储单元结构，设置在第一半导体管芯的中心区域中；外围电路，设置在第二半导体管芯的中心区域中并在第一方向和第二方向上延伸；第一检测结构，设置在第二半导体管芯的中心区域中，并且围绕外围电路中在第二方向上彼此间隔开的第一子电路区域和
4、根据一些示例实施例，一种包括彼此接合的多个芯片的半导体器件，包括：芯片区域；沿芯片区域的边缘的划道；坝体结构，在芯片区域与划道之间；检测结构，通过坝体结构从芯片区域延伸到划道，检测结构在划道中形成环形；路径控制电路，包括被配置为控制检测结构的电连接的多个开关；以及检测电路，设置在芯片区域中，其中，检测电路被配置为基于差分信号来确定划道中是否存在缺陷以及缺陷的位置，差分信号对应于经由路径控制电路分别在正向和反向上通过检测结构传播测试输入信号而获得的正向测试输出信号与反向测试输出信号之间的差。
5、根据示例实施例的半导体器件可以基于分别在正向和反向上通过检测结构传播测试输入信号而获得的正向测试输出信号与反向测试输出信号之间的差来确定半导体管芯中是否存在缺陷以及缺陷的位置，可以检测到由于分离现象引起的渐进故障，从而可以减少缺陷产品的出货量。
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1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述检测结构包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述检测电路还被配置为基于具有正值的所述差分信号来确定所述第一导电段和所述第二导电段之一中存在所述缺陷。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述检测电路被配置为：
5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述检测电路还被配置为基于具有负值的所述差分信号来确定所述第三导电段和所述第四导电段之一中存在所述缺陷。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述检测电路被配置为：
7.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述路径控制电路包括：
8.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述检测结构还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述检测电路还被配置为：
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述检测结构是在所述外部区域中设置成环形以围绕所述中心区域并在竖直方向上延伸的三维检测结构。
11.根据权利要求1
12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述半导体管芯包括在所述竖直方向上堆叠的M个层，M是大于2的自然数，
13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述测试输入信号在所述半导体器件内部或所述半导体器件外部生成，并且经由所述路径控制电路施加到所述检测结构，
14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述缺陷包括短路、裂纹、渐进故障、接合故障和分离现象中的至少一种，并且
15.一种半导体器件，包括：
16.根据权利要求15所述的半导体器件，还包括：
17.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述第一检测结构通过以下进行设置：
18.根据权利要求17所述的半导体器件，其中，所述第一半导体管芯设置在第一半导体晶片中，
19.一种半导体器件，包括彼此接合的多个芯片，所述半导体器件包括：
20.根据权利要求19所述的半导体器件，其中，所述多个芯片包括第一芯片和在所述第一芯片上的第二芯片，所述第一芯片具有第一接合金属图案，并且所述第二芯片具有与所述第一接合金属图案相对应的第二接合金属图案，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述检测结构包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述检测电路还被配置为基于具有正值的所述差分信号来确定所述第一导电段和所述第二导电段之一中存在所述缺陷。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述检测电路被配置为：
5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述检测电路还被配置为基于具有负值的所述差分信号来确定所述第三导电段和所述第四导电段之一中存在所述缺陷。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述检测电路被配置为：
7.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述路径控制电路包括：
8.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述检测结构还包括：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述检测电路还被配置为：
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述检测结构是在所述外部区域中设置成环形以围绕所述中心区域并在竖直方向上延伸的三维检测结构。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述半导体管芯包括第一导电层和...
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