【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体装置及一种形成屏蔽结构的方法。
技术介绍
1、功率金属氧化物半导体场效晶体管(metal oxide semiconductor field effecttransistor，mosfet)是一种常应用于类和/或数字电路的功率元件，其可设计为在低压(例如约10伏特)下或是在高压(例如约200伏特)下工作。一般而言，垂直式功率mosfet可作为在低压下工作的功率mosfet，其可包括沟槽式功率mosfet(trench gate power mosfet，或称为umosfet)或是分离式栅极功率mosfet(split gate power mosfet)等。
2、在垂直式功率mosfet中，决定栅极与漏极之间的电荷量(qgd)的区域一般是受到蚀刻制作工艺的控制，亦即，qgd的稳定性是通过蚀刻来控制的。然而，在元件尺寸不断缩小的趋势下，已难以通过控制蚀刻条件来使功率mosfet的qgd具有良好的稳定性。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种半导体装置及形成...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：
3.如权利要求2所述的半导体装置，其中所述源极层包括延伸至所述绝缘层中的一部分，所述源极层的所述部分与所述屏蔽结构的所述介电图案接触。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其中所述第一导电图案与所述源极层的所述部分被设置在两者之间的所述介电图案间隔开来。
5.如权利要求2所述的半导体装置，还包括：
6.如权利要求5所述的半导体装置，其中所述设置在所述胞元区中的所述屏蔽结构通过设置在所述连接区中的所述导电结构与所述源极层电连接。
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【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：
3.如权利要求2所述的半导体装置，其中所述源极层包括延伸至所述绝缘层中的一部分，所述源极层的所述部分与所述屏蔽结构的所述介电图案接触。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其中所述第一导电图案与所述源极层的所述部分被设置在两者之间的所述介电图案间隔开来。
5.如权利要求2所述的半导体装置，还包括：
6.如权利要求5所述的半导体装置，其中所述设置在所述胞元区中的所述屏蔽结构通过设置在所述连接区中的所述导电结构与所述源极层电连接。
7.如权利要求5所述的半导体装置，其中所述第一导电图案以及所述第二导电图案彼此连接形成连续的导电层。
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【专利技术属性】
技术研发人员：张健乐，何昌瑾，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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