【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种互补型金属氧化物半导体管的形成方法，其特征在于，包括：提供包括相邻的第一区域和第二区域的半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有绝缘层，且所述第一区域具有贯穿所述绝缘层的第一开口，所述第一开口的底部和侧壁形成有第一功能层，所述第一功能层表面覆盖有第一牺牲层，所述第一牺牲层与所述绝缘层表面齐平，所述第二区域具有贯穿所述绝缘层的第二开口；形成第二功能层，所述第二功能层覆盖所述第二开口的底部和侧壁、绝缘层表面以及第一牺牲层表面；形成第二牺牲层，所述第二牺牲层覆盖第二区域中的绝缘层和第二功能层；去除所述第一区域的第二功能层和第一牺牲层，并去除所述第二区域的第二牺牲层，暴露出第一开口内的第一功能层和第二区域的第二功能层；去除第一牺牲层和第二牺牲层后，形成覆盖所述第一功能层的第一栅电极层，形成覆盖所述第二功能层的第二栅电极层，且所述第一栅电极层和第二栅电极层与所述绝缘层表面齐平。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：洪中山，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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