【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种方法，包括：形成用于第一晶体管的栅极结构与用于第二晶体管的栅极结构在半导体基板之上；形成衬垫层于用于该第一和第二晶体管的该等栅极结构与该半导体基板之上；进行多个延伸离子植入工艺通过该衬垫层，以形成延伸植入区于用于该第一晶体管和该第二晶体管的该基板中；形成接近于用于该第一晶体管的该栅极结构的第一侧壁间隔件，及在位于该第二晶体管之上的图案化硬掩模层；进行至少一道蚀刻工艺，以移除至少位于相邻于该第一晶体管的该栅极结构的该第一侧壁间隔件、位于该第二晶体管之上的该图案化硬掩模层以及该衬垫层；在进行该至少一道蚀刻工艺后，形成接近于该第一晶体管的该栅极结构和该第二晶体管的该栅极结构二者的第二侧壁间隔件；以及该第二侧壁间隔件在适当位置时，进行多个源极/漏极离子植入工艺，以形成深源极/漏极植入区于用于该第一晶体管和该第二晶体管的该基板中。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：S·弗莱克豪斯基，R·P·米卡罗，J·亨治尔，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：
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