【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种用于形成具有提升式源极和漏极区的半导体设备的方法，该方法包括：形成柵极电极于半导体基板上；形成配置于该柵极电极旁边的第一间隔体结构；在该柵极电极两侧形成于该半导体基板的暴露表面上方的半导体层，借此形成对于该半导体基板的该暴露表面向该柵极电极下斜的层部；以及形成于该第一间隔体结构上方的第二间隔体结构，其中，该第二间隔体结构覆盖该下斜层部的至少一部分。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·亨治尔，S·拜尔，O·卡伦西，S·弗莱克豪斯基，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：
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