一种功率电路保护系统技术方案

本申请提供了一种功率电路保护系统，包括：储能元件、功率电路和保护电路；储能元件与保护电路的输入端相连接，保护电路的输出端与功率电路中的电容相连接，保护电路的控制端与功率电路中的控制端相连接；其中，保护电路包括MOS管和电阻；MOS管和电阻并联连接，MOS管的源极和漏极分别与电阻的两端点相连接。由于MOS管和电阻并联，使得接通时电阻所在的支路导通，而MOS管所在的支路处于截止状态，当电子电路达到预设的条件时，控制所述MOS管导通，使得电流不再经过电阻所在的支路，MOS管所在的支路的压降和能量损耗非常小，相当于不存在压降和能量损耗，解决了现有技术中保护电路消耗压降的能量损耗的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及电路领域，特别涉及一种功率电路保护系统。
技术介绍
随着技术的发展，人们对功率电路中保护电路的要求越来越高。现有技术中通常会在电子电路的电源端口连接开机防浪涌电路，以保护电子设备，现有的保护电路中的电阻值一般在500欧姆至1000欧姆之间，这样，即使负载端所需要的电流仅仅为10mA，保护电路上也会有5V以上的压降，而且保护电路上一直存在能量损耗。因此，如何有效的降低保护电路上的压降和能量损耗，使得保护电路上几乎不存在压降和能量损耗是本领域技术人员目前需要解决的技术问题。
技术实现思路
本申请所要解决的技术问题是提供一种功率电路保护系统，解决了现有技术中保护电路上也会有5V以上的压降，而且保护电路上一直存在能量损耗的问题。其具体方案如下:一种功率电路保护系统，该系统包括:储能元件、功率电路和保护电路；所述储能元件与所述保护电路的输入端相连接，所述保护电路的输出端与功率电路中的电容相连接，保护电路的控制端与功率电路中的控制端相连接；其中，所述保护电路包括MOS管和电阻；所述MOS管和所述电阻并联连接，所述MOS管的源极和漏极分别与所述电阻的两端点相连接。上述的保护系统，可选的，所述保护电路还包括:稳压二极管，所述稳压二极管与所述MOS管并联连接，所述稳压二极管的正极连接所述MOS管的源极，所述稳压二极管的负极连接所述MOS管的漏极。上述的保护系统，可选的，所述保护电路的个数为一个或者多个。上述的保护系统，可选的，当所述保护电路的个数为多个时，多个所述保护电路并联连接，每个所述保护电路的输入端均与所述储能元件相连接，每个所述保护电路的输出端分别与功率电路中与所述保护电路相匹配的电容相连接。上述的保护系统，可选的，所述储能元件包括:电池。上述的保护系统，可选的，所述储能元件包括:电池组。上述的保护系统，可选的，所述储能元件包括:超级电容。本申请提供的一种功率电路保护系统中，包括:储能元件、功率电路和保护电路；所述储能元件与所述保护电路的输入端相连接，所述保护电路的输出端与功率电路中的电容相连接，保护电路的控制端与功率电路中的控制端相连接；其中，所述保护电路包括MOS管和电阻；所述MOS管和所述电阻并联连接，所述MOS管的源极和漏极分别与所述电阻的两端点相连接。当所述的保护电路应用到电子电路中时，由于MOS管和电阻并联，使得接通时电阻所在的支路导通，而MOS管所在的支路处于截止状态，当电子电路达到预设的条件时，控制所述MOS管导通，然而MOS管的电阻值非常小，使得电流不再经过电阻所在的支路，这样，MOS管所在的支路的压降和能量损耗非常小，几乎相当于不存在压降和能量损耗，解决了现有技术中保护电路消耗压降的能量损耗的问题。【附图说明】为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本申请的一种功率电路保护系统实施例的结构示意图；图2是本申请的一种功率电路保护系统另一个实施例的结构示意图。【具体实施方式】下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。参考图1，示出了本申请一种功率电路保护系统实施例的结构示意图，可以包括:储能元件、功率电路和保护电路。所述储能元件与所述保护电路的输入端相连接，所述保护电路的输出端与功率电路中的电容相连接，保护电路的控制端与功率电路中的控制端相连接，其中所述保护电路包括MOS管和电阻；所述MOS管和所述电阻并联连接，所述MOS管的源极和漏极分别与所述电阻的两端点相连接。本申请中，当所述的保护电路应用到电子电路中时，由于MOS管和电阻并联，使得接通时电阻所在的支路导通，而MOS管所在的支路处于截止状态，当电子电路达到预设的条件时，控制所述MOS管导通，然而MOS管的电阻值非常小，使得电流不再经过电阻所在的支路，这样，MOS管所在的支路的压降和能量损耗非常小，几乎相当于不存在压降和能量损耗，解决了现有技术中保护电路消耗压降的能量损耗的问题。本申请中的保护电路，可选的，还包括:稳压二极管，所述稳压二极管与所述MOS管并联连接，所述稳压二极管的正极连接所述MOS管的源极，所述稳压二极管的负极连接所述MOS管的漏极。本申请中保护电路中的电阻值通常可以采用10欧姆至1000欧姆。图中Ql和Rl为防浪涌保护电路，Cl为功率电路内部的大电容，CONl为MOS管的控制信号，POffl为功率线。在VINl上电瞬间，MOS管处于截止状态，此时通过电阻Rl以小电流给电容Cl充电，POffl的电压缓慢上升，此时功率电路中的检测当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率电路保护系统，其特征在于，该系统包括：储能元件、功率电路和保护电路；所述储能元件与所述保护电路的输入端相连接，所述保护电路的输出端与功率电路中的电容相连接，保护电路的控制端与功率电路中的控制端相连接；其中，所述保护电路包括MOS管和电阻；所述MOS管和所述电阻并联连接，所述MOS管的源极和漏极分别与所述电阻的两端点相连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张帆，郑正仙，朱金卫，苏芳，周斌，陈潘霞，赵欢伟，
申请(专利权)人：国家电网公司，国网浙江省电力公司杭州供电公司，杭州大有科技发展有限公司，杭州协能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11