半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，基底具有凹槽；位于基底中沿第一方向延伸的第一金属线，凹槽露出第一金属线的顶部和侧壁；第一电极层，沿第二方向延伸覆盖基底凹槽露出的第一金属线的顶部和侧壁，并与第一金属线电连接，第一方向垂直于第二方向；介质层，覆盖第一电极层；第二电极层，覆盖介质层；沿第二方向横跨第一金属线的第二金属线，位于第一金属线和第二电极层上方，部分第二金属线与第二电极层电连接。本发明专利技术增加电容密度，从而有利于提高半导体结构的工作性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

1、半导体集成电路(ic)行业经历了快速增长。集成电路行业在材料和设计方面的技术进步已经产生了一代又一代的集成电路。每一代都有比前一代更小且更复杂的电路。但是，这些进步增加了加工和制造集成电路的复杂性，为了实现这些进步，在集成电路加工和制造方面也需要有类似的发展。在集成电路的发展过程中，功能密度(即每个芯片面积上的互连器件数量)逐渐提高，而几何尺寸(即使用制造工艺可以制造的最小元件)却在逐步减小。

2、一种类型的电容器是金属-绝缘体-金属(metal insulator metal，mim)电容器，通常用于混合信号器件和逻辑器件(如嵌入式存储器和射频器件等)中。mim电容器通常用于在各种半导体器件中储存电荷。为了满足器件的性能需求，mim电容的电容密度也在逐渐增加。

3、但是，目前mim电容的等效电容密度仍有待提高。

技术实现思路

1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，有利于提本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，位于相邻第一金属线相对侧壁的第二电极层相接触。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括第一介电层，所述第一金属线位于所述第一介电层中，且所述第一介电层露出所述第一金属线顶部，所述凹槽位于所述第一介电层中。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述基底还包括：位于所述第一介电层上的刻蚀停止层，所述刻蚀停止层露出所述凹槽；

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第二介电层，位于所述基底上并覆盖所述第一...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，位于相邻第一金属线相对侧壁的第二电极层相接触。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括第一介电层，所述第一金属线位于所述第一介电层中，且所述第一介电层露出所述第一金属线顶部，所述凹槽位于所述第一介电层中。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述基底还包括：位于所述第一介电层上的刻蚀停止层，所述刻蚀停止层露出所述凹槽；

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第二介电层，位于所述基底上并覆盖所述第一金属线和第二电极层，所述第二金属线位于所述第二介电层中，所述第二介电层露出所述第二金属线顶部。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第一互连结构，位于所述第二电极层和第二金属线之间、并贯穿所述第二电极层顶部的第二介电层，所述第一互连结构与所述第二电极层和第二金属线电连接。

7.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第二互连结构，位于所述第二金属线和第一金属线之间、并贯穿所述第一金属线顶部的第二介电层，所述第二互连结构与所述第一金属线和第二金属线电连接。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：保护层，覆盖所述第二电极层、以及所述介质层和第一电极层侧壁。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层的材料包括hfo2、hfsio、tio2、hfzro、hfsion、hftao、hftio、ta2o5、zro2、zrsio2、al2o3、srtio3、basrtio和sin中的一种或多种；

10.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：金吉松，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：