【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体封装，尤其涉及一种封装结构以及封装方法。
技术介绍
1、对于单片芯片的尺寸，常规的芯片制造技术正在被推向它们的极限。然而，应用却渴望使用最新技术实现大尺寸集成电路的能力，芯片之间实现高速和小体积互连具有较大的挑战。
2、目前的一种解决方案是使用嵌入在硅衬底中的硅桥(si bridge)芯片的较小的集成电路，以通过硅桥芯片实现芯片与芯片之间的互连，进而提供异质芯片封装。
3、但是，转接板与芯片组之间的互连密度和互连性能仍有待提高。
技术实现思路
1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种封装结构以及封装方法，提高转接板与芯片组之间的互连密度和互连性能。
2、为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种封装结构，包括：转接板，包括相背的第一面和第二面；转接板包括第一区域和位于第一区域之间的第二区域，第一区域形成有多个分立的导电柱，第二区域形成有互连芯片，导电柱和互连芯片侧部填充有第一封装层；互连芯片和导电柱露出于第一面；芯片组，包括一个或...
【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一表面为芯片正面，所述第二表面为芯片背面。
3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：第二再布线结构，位于所述第一封装层和微凸块之间、导电柱和微凸块之间、以及互连芯片和微凸块之间。
4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，封装结构还包括：第三再布线结构，位于所述转接板的第二面上，且第三再布线结构与导电柱之间电连接。
5.如权利要求4所述的封装结构，其特征在于，封装结构还包括：基板，键合于转接板的第二面上，且基...
【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一表面为芯片正面，所述第二表面为芯片背面。
3.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：第二再布线结构，位于所述第一封装层和微凸块之间、导电柱和微凸块之间、以及互连芯片和微凸块之间。
4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，封装结构还包括：第三再布线结构，位于所述转接板的第二面上，且第三再布线结构与导电柱之间电连接。
5.如权利要求4所述的封装结构，其特征在于，封装结构还包括：基板，键合于转接板的第二面上，且基板与第三再布线结构之间电连接。
6.如权利要求5所述的封装结构，其特征在于，封装结构还包括：导电凸块，位于第三再布线结构和基板之间，导电凸块电连接第三再布线结构和基板。
7.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，封装结构还包括：密封层，填充于转接板的第一面和芯片组之间，所述密封层填充于微凸块之间的缝隙且密封微凸块。
8.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述互连芯片上形成有互连垫；所述互连垫露出于转接板的第一面；所述微凸块与互连芯片的互连垫之间电连接。
9.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一再布线结构包括一层或多层的再布线层。
10.一种封装方法，其特征在于，包括：
11.如权利要求10所述的封装方法，其特征在于，形成转接板的步骤包括：提供第一载板，所述第一载板包括第一区域和位于第一区域之间的第二区域；在所述第一区域的第一载板上形成分立的导电柱；在所述第二区域的第一载板上贴合互连芯片；
12.如权利要求11所述的封装方法，其特征在于，在形成第一封装层之后，封装方法还包括：在所述第一封装层上形成第二再布线结构，所述第二再布线结构与所述导电柱和器件芯片之间电连接；
13.如权利要求11所述的封装方法，其特征在于，在提供第一载板之后，且在形成导电柱以及贴合互连芯片之前，形成转接板的步骤还包括：在第一载板上形成...
【专利技术属性】
技术研发人员：金吉松，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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