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一种互补型金属氧化物半导体管的形成方法，包括：提供包括相邻的第一区域和第二区域的半导体衬底，半导体衬底表面形成有绝缘层，分别贯穿第一区域绝缘层的第一开口和第二区域绝缘层的第二开口，且第一开口的底部和侧壁形成有第一功能层、与绝缘层表面齐平的第...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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