PMOS设备的中原位掺杂硅锗接合制造技术

本发明专利技术涉及PMOS设备的中原位掺杂硅锗接合，提供一种具有PMOS嵌入式硅锗源极/漏极区的高介电常数金属栅极(HKMG)装置。本发明专利技术的实施例包含形成第一及第二HKMG栅极堆栈于基板上，该堆栈各自包含有二氧化硅盖、形成延伸区于该第一HKMG栅极堆栈的相对侧、形成氮化物衬垫以及氧化物衬垫于HKMG栅极堆栈的各侧上；形成硬掩模于该第二HKMG栅极堆栈上方；形成嵌入式硅锗于该第一HKMG栅极堆栈的相对侧、移除该硬掩模、形成共形的衬垫以及氮化物间隔于各该第一及第二HKMG栅极堆栈的氧化物间隔上，以及形成深源极/漏极区于该第二HKMG栅极堆栈的相对侧。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及PMOS设备的中原位掺杂硅锗接合，提供一种具有PMOS嵌入式硅锗源极/漏极区的高介电常数金属栅极(HKMG)装置。本专利技术的实施例包含形成第一及第二HKMG栅极堆栈于基板上，该堆栈各自包含有二氧化硅盖、形成延伸区于该第一HKMG栅极堆栈的相对侧、形成氮化物衬垫以及氧化物衬垫于HKMG栅极堆栈的各侧上；形成硬掩模于该第二HKMG栅极堆栈上方；形成嵌入式硅锗于该第一HKMG栅极堆栈的相对侧、移除该硬掩模、形成共形的衬垫以及氮化物间隔于各该第一及第二HKMG栅极堆栈的氧化物间隔上，以及形成深源极/漏极区于该第二HKMG栅极堆栈的相对侧。【专利说明】PMOS设备的中原位掺杂硅锗接合
本揭露是关于具有嵌入式硅锗(SiGe)源极/漏极区的半导体装置。本揭露尤其是可应用于使用28奈米技术装设(gate)第一高介电常数金属栅极(HKMG)装置。
技术介绍
在现代的CMOS技术里，嵌入式硅锗源极/漏极区在PFET装置中为一种标准规格，因为它们能够通过将单轴应变引入信道中而改良性能。嵌入式硅锗整合是发生于绝缘层覆硅基板的主要程序前期以及于体硅基板之后期程序，其利用HK本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：形成第一及第二高介电常数金属栅极(HKMG)栅极堆栈于基板上，各个HKMG栅极堆栈是包含二氧化硅(SiO2)盖；形成延伸区于该第一HKMG栅极堆栈的相对侧；形成氮化物衬垫以及氧化物间隔于各该第一及第二HKMG栅极堆栈的各侧上；形成硬掩模于该第二HKMG栅极堆栈上方；形成嵌入式硅锗(eSiGe)于该第一HKMG栅极堆栈的相对侧；移除该硬掩模；形成共形的衬垫以及氮化物间隔于各该第一及第二HKMG栅极堆栈的该氧化物间隔上；以及形成深源极/漏极区于该第二HKMG栅极堆栈的相对侧。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：J·亨治尔，S·Y·翁，S·弗莱克豪斯基，T·沙伊普，
申请(专利权)人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司，
类型：发明
国别省市：