半导体器件和半导体器件的制造方法技术
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及。提供了能够减小源极电极间电阻RSS（导通）并且减小芯片大小的半导体器件。根据本专利技术的半导体器件包括：芯片，其被分区为包括第一区域、第二区域和第三区域的三个区域；以及，公共漏极电极，其被设置在芯片的背表面上，其中，在第一和第三区域之间形成第二区域，在第一区域和第三区域中形成第一MOSFET，并且在第二区域中形成第二MOSFET。【专利说明】相关申请的交叉引用本申请基于在2012年5月29日提交的日本专利申请N0.2012-121503并且要求其优先权的权益，其公开通过引用以其整体被并入在此。
本专利技术涉及。例如，本专利技术涉及包括绝缘栅型场效应晶体管的半导体器件及其制造方法，该绝缘栅型场效应晶体管具有垂直晶体管结构。
技术介绍
用于锂离子(Li+)电池保护的CSP (芯片尺寸封装)型MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)(EFLIP:用于锂离子电池保护的生态倒装芯片MOSFET)的开发已经从过去开始在进行。作为像这样的M0SFET，已知在背表面上设置由金属板或金属膜构成的漏极电极的单芯片双类型MOSFET结构(日本未...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：芯片，所述芯片被分区为包括第一区域、第二区域和第三区域的三个区域；以及公共漏极电极，所述公共漏极电极被设置在所述芯片的背表面上，其中，所述第二区域形成在所述第一区域和所述第三区域之间，第一MOSFET形成在所述第一区域和所述第三区域中，并且第二MOSFET形成在所述第二区域中。
【技术特征摘要】
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