【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种图案化的石墨烯的形成方法，包括：提供一半导体硅衬底，图案化所述半导体硅衬底；在图案化的半导体硅衬底表面掺杂碳元素至预定深度形成图案化的含碳层；激光退火所述图案化的含碳层，形成图案化的石墨烯。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王冬江，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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