【技术实现步骤摘要】
本专利技术的示例性实施例涉及一种半导体存储器件及其制造方法，更具体而言涉及一种非易失性存储器件及其制造方法。
技术介绍
当在单晶硅衬底之上形成单层的存储器单元时，其存储器密度基于图案化限制和 封装限制来确定。可以通过减小图案的大小来缓解封装限制，以提高存储器密度。然而，随着图案化技术达到技术极限，难以进一步增加存储器密度。在提高存储器密度的需要日益增长的情况下，在单晶硅衬底之上形成单层的存储器单元可能不满足需求。这里，存储器密度表示形成在单位面积内的存储器单元的数量。
技术实现思路
本专利技术的一个实施例涉及一种不论衬底面积如何都可以包括比现有非易失性存储器件更多的存储器单元的非易失性存储器件及其制造方法。根据本专利技术的一个实施例，一种非易失性存储器件包括多个栅电极，所述多个栅电极堆叠在半导体衬底之上，并且沿着半导体衬底在第一方向延伸；以及多个结层，所述多个结层具有从半导体衬底突出并且与栅电极的第一区域交叉，以及形成在栅电极之间的第二区域。根据本专利技术的另一个实施例，一种非易失性存储器件包括多个单元沟道层和多个栅电极，所述多个单元沟道层和多个栅电极交替地堆叠在半...
【技术保护点】
一种非易失性存储器件，包括：多个栅电极，所述多个栅电极堆叠在半导体衬底之上，并且沿着所述半导体衬底在第一方向延伸；以及多个结层，所述多个结层具有：从所述半导体衬底突出且与所述栅电极交叉的第一区域，以及形成在所述栅电极之间的第二区域。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：安正烈，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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