数据存储装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种数据存储装置及其制造方法，该数据存储装置可包括：衬底；晶体管，位于衬底上，晶体管包括栅线结构；以及导电隔离图案，限定晶体管的有源区。每个导电隔离图案包括埋入衬底中的至少一部分，并且导电隔离图案彼此电性连接。

【技术实现步骤摘要】
数据存储装置及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体器件，具体而言，涉及一种数据存储装置及其制造方法。
技术介绍
半导体器件因其小尺寸、多功能和/或低成本的特性而被认为是电子产业中重要的元件。诸如半导体存储器装置的数据存储装置的更高集成应该满足消费者对于优良的性能和低廉的价格的需求。在半导体存储器装置的情况下，因为集成是决定产品价格的重要因素，所以寻求提高的集成。然而，提高半导体图案的精细度所需的工艺设备的高价格，对于提高半导体存储器装置的集成设立了实用限制。因此，对于提高数据存储装置的集成度的新技术的各种研究正在进行中。
技术实现思路
实施方式可通过提供一种数据存储装置而实现，所述数据存储装置包括：衬底；晶体管，位于衬底上，晶体管包括栅线结构；以及导电隔离图案，限定晶体管的有源区。每个导电隔离图案包括埋入衬底中的至少一部分，并且导电隔离图案彼此电性连接。每个栅线结构可以包括埋入衬底中的至少一部分。导电隔离图案可以实质上平行于栅线结构延伸。导电隔离图案和栅线结构的每个可以包括顺序地堆叠在衬底上的绝缘层、导线和盖图案。导线可以通过绝缘层和盖图案而与衬底电性隔离。在导电隔离图案和栅线结构的每个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种数据存储装置，包括：衬底；晶体管，位于所述衬底上，所述晶体管包括栅线结构；以及导电隔离图案，限定所述晶体管的有源区，每个导电隔离图案包括埋入所述衬底中的至少一部分，并且所述导电隔离图案彼此电性连接。

【技术特征摘要】
2011.08.16 KR 10-2011-00813641.一种数据存储装置，包括：衬底；晶体管，位于所述衬底上，所述晶体管包括栅线结构和位于所述栅线结构之间的所述衬底中的第二源/漏区；以及导电隔离图案，限定所述晶体管的有源区，每个导电隔离图案包括埋入所述衬底中的至少一部分，并且所述导电隔离图案彼此电性连接，其中源线位于所述第二源/漏区上并且具有平行于所述栅线结构的主轴的主轴。2.根据权利要求1所述的装置，其中：每个所述栅线结构包括埋入所述衬底中的至少一部分，以及所述导电隔离图案在实质上平行于所述栅线结构的方向上延伸。3.根据权利要求2所述的装置，其中：所述导电隔离图案和所述栅线结构的每个包括顺序地堆叠在所述衬底上的绝缘层、导线和盖图案，以及所述导线通过所述绝缘层和所述盖图案而与所述衬底电性隔离。4.根据权利要求3所述的装置，其中，在所述导电隔离图案和所述栅线结构的每个中，所述导线的最上表面低于所述衬底的最上表面。5.根据权利要求2所述的装置，其中，所述栅线结构提供在所述衬底内的第一沟槽中，并且所述导电隔离图案提供在所述衬底内的第二沟槽中，所述第一沟槽和所述第二沟槽具有实质上相同的深度。6.根据权利要求1所述的装置，还包括：将所述导电隔离图案彼此电性连接的导电连接图案，所述导电连接图案沿着交叉所述栅线结构的方向延伸。7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述导电隔离图案构造为在所述数据存储装置的操作期间阻止在所述衬底的位于所述导电隔离图案下的区域中形成沟道区。8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述导电隔离图案构造为在所述数据存储装置的操作期间接收地电压或负电压。9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述导电隔离图案构造为在所述数据存储装置的读取和写入操作期间被施加有与施加至所述栅线结构中的未选择的栅线结构的电压相同的电压。10.根据权利要求1所述的装置，其中：所述晶体管还包括：第一源/漏区，通过所述栅线结构与所述第二源/漏区间隔开。11.根据权利要求10所述的装置，还包括：将所述源线彼此电性连接的源连接线。12.根据权利要求10所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：金容宽，黄荣南，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：