一种LED灯封装围体结构，包括有一基材、一发光二极管芯片及一围体，其中：该发光二极管芯片设置于基材表面，且该围体呈现环绕发光二极管芯片型态设置于基材表面，且该围体所围成的内面注入有呈现封装发光二极管芯片的封装材料层，另该围体是由具透光效果的硅胶所制成。本发明专利技术是一种以可透光材质制成的LED灯封装围体结构，或以一具折射面的LED灯封装围体结构，以利LED具有较佳的光线扩散或聚光效果。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种LED灯封装围体结构，尤其涉及一种以可透光材质制成的LED灯封装围体结构，或以一具折射面的LED灯封装围体结构，以利LED具有较佳的光线扩散或聚光效果。
技术介绍
目前因突破传统LED发光功率不佳等技术瓶颈，使得LED不仅仅只能使用在一般电器的指示灯或辅助光，更可使用在照明设备的领域之中。而且，目前高功率LED的操作电流可达到2安培以上，是传统LED只有20毫安的操作电流的100倍以上，且高功率LED单颗的发光功率大于数百颗传统LED的总发光功率，因此亮度相当的高，可达到160流明，使用上相当的方便。此外，发光二极管组件属于冷发光，具有耗电量低、组件寿命长、无须暖灯时间、反应速度快等优点，再加上其体积小、耐震动、适合量产，容易配合应用需求制成极小 或数组式的组件，因此发光二极管组件已普遍使用于信息、通讯及消费性电子产品的指示灯与显示装置上。请参阅图4所示，其是现有的LED封装结构，其包括有一基材51、一发光二极管芯片52及一围体53,该发光二极管芯片52设置于基材51表面,且该围体53呈现环绕发光二极管芯片52型态设置于基材51表面，最后再将围体53所围成的范围注入封装材料层54使其凝固，即可完成LED的芯片封装；然而现有的LED封装结构其所采用的围体53为一种具光线遮蔽效果的橡胶体，如此容易使发光二极芯片52所照射于围体53的光线受到遮蔽，降低LED的光照效率。鉴于现有LED封装结构以橡胶体所制成的围体53具有降低LED光照效率的缺点，本专利技术人即推出一种LED灯封装围体结构，其是一种以可透光材质制成的LED灯封装围体结构，或以一具折射面的LED灯封装围体结构，以利LED具有较佳的光线扩散或聚光效果。
技术实现思路
本专利技术所要解决的主要技术问题在于，克服现有技术存在的上述缺陷，而提供一种LED灯封装围体结构，其是一种以可透光材质制成的LED灯封装围体结构，或以一具折射面的LED灯封装围体结构，以利LED具有较佳的光线扩散或聚光效果。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是—种LED灯封装围体结构,包括有一基材、一发光二极管芯片及一围体,该发光二极管芯片设置于基材表面，且该围体呈现环绕发光二极管芯片型态设置于基材表面，且该围体所围成的内面注入有呈现封装发光二极管芯片的封装材料层，另该围体是由具透光效果的硅胶所制成。为达到前述LED具有较佳的光线聚光的专利技术目的，本专利技术「LED灯封装围体结构」包括有一基材、一发光二极管芯片及一围体，该发光二极管芯片设置于基材表面，且该围体呈现环绕发光二极管芯片型态设置于基材表面，且该围体所围成的内面注入有呈现封装发光二极管芯片的封装材料层，且该围体内面形成有一导光弧面，且该围体于导光弧面设置有一层将发光二极管芯片所产生的光线进行反射的微结构层。本专利技术的有益效果是，其是一种以可透光材质制成的LED灯封装围体结构，或以一具折射面的LED灯封装围体结构，以利LED具有较佳的光线扩散或聚光效果。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。 图I是本专利技术LED灯封装围体结构的第一实施例示意图。图2是本专利技术LED灯封装围体结构的第二实施例示意图。图3是本专利技术第二实施例的围体部位放大示意图。图4是现有LED灯光照型态示意图。图中标号说明10 基材20发光二极管芯片30 围体31导光弧面32微结构层40封装材料层51 基材52发光二极管芯片53 围体54封装材料层具体实施例方式本专利技术是有关一种LED灯封装围体结构，其一种以可透光材质制成的LED灯封装围体结构，或以一具折射面的LED灯封装围体结构，以利LED具有较佳的光线扩散或聚光效果O请参阅图I所示，为达到前述LED具有较佳的光线扩散的专利技术目的，本专利技术「LED灯封装围体结构」包括有一基材10、一发光二极管芯片20及一围体30，该发光二极管芯片20设置于基材10表面，且该围体30呈现环绕发光二极管芯片20型态设置于基材10表面，且该围体30所围成的内面注入有呈现封装发光二极管芯片20的封装材料层40，另该围体30是由具透光效果的硅胶所制成；如此，发光二极管芯片20所产生的光线即可穿透围体30，使LED灯的光照角度不受围体30所遮蔽。请参阅图2与图3所示，为达到前述LED具有较佳的光线聚光的专利技术目的，本专利技术「LED灯封装围体结构」包括有一基材10、一发光二极管芯片20及一围体30,该发光二极管芯片20设置于基材10表面，且该围体30呈现环绕发光二极管芯片20型态设置于基材10表面，且该围体30所围成的内面注入有呈现封装发光二极管芯片20的封装材料层40，且该围体30内面形成有一导光弧面31,且该围体30于导光弧面31设置有一层将发光二极管芯片20所产生的光线进行反射的微结构层32，所述的微结构层32为一种具反光效果的光学微结构；如此，发光二极管芯片20照射于围体30部分的光线，即可透过导光弧面31及微结构层32朝一方折射出去，以强化LED灯的聚光效果。本专利技术的封装材料层40可选择自环氧树脂(epoxy)、旋涂式玻璃(spin-on glass, SOG)、聚酰亚胺(polyimide)、苯环高分子化合物(B-staged bisbenzocyclobutene)、陶瓷以及玻璃等材料以形成单一材料层或复合材料层；再者，封装材料层40亦可以混合其它波长转换材料、突光粉或散光材料,再以压模或灌胶或烧结方式进行封装。权利要求1.一种LED灯封装围体结构，其特征在于，包括有一基材、一发光二极管芯片及一围体，其中 该发光二极管芯片设置于基材表面，且该围体呈现环绕发光二极管芯片型态设置于基材表面，且该围体所围成的内面注入有呈现封装发光二极管芯片的封装材料层，另该围体是由具透光效果的硅胶所制成。2.—种LED灯封装围体结构，其特征在于，包括有一基材、一发光二极管芯片及一围体，其中 该发光二极管芯片设置于基材表面，且该围体呈现环绕发光二极管芯片型态设置于基材表面，且该围体所围成的内面注入有呈现封装发光二极管芯片的封装材料层，且该围体内面形成有一导光弧面，且该围体于导光弧面设置有一层将发光二极管芯片所产生的光线进行反射的微结构层。全文摘要一种LED灯封装围体结构，包括有一基材、一发光二极管芯片及一围体，其中该发光二极管芯片设置于基材表面，且该围体呈现环绕发光二极管芯片型态设置于基材表面，且该围体所围成的内面注入有呈现封装发光二极管芯片的封装材料层，另该围体是由具透光效果的硅胶所制成。本专利技术是一种以可透光材质制成的LED灯封装围体结构，或以一具折射面的LED灯封装围体结构，以利LED具有较佳的光线扩散或聚光效果。文档编号H01L33/56GK102916105SQ201110220710公开日2013年2月6日 申请日期2011年8月3日 优先权日2011年8月3日专利技术者陈朝泉 申请人:宁波瑞昀光电照明科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种LED灯封装围体结构，其特征在于，包括有一基材、一发光二极管芯片及一围体，其中：该发光二极管芯片设置于基材表面，且该围体呈现环绕发光二极管芯片型态设置于基材表面，且该围体所围成的内面注入有呈现封装发光二极管芯片的封装材料层，另该围体是由具透光效果的硅胶所制成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈朝泉，
申请(专利权)人：宁波瑞昀光电照明科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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