本发明专利技术公开一种适于承载发光装置的晶片级基板架构。该晶片级硅基板架构包括一第一基板及一第二基板，且一金属线是根据一预定图样建构在第一基板表面。预定图样分为多个第一部分及多个第二部分。第二基板附着于第一基板的表面。第二基板有多个贯孔。贯孔分别对应第一部分，每一第一部分适于电连接发光装置。上述的供发光装置的配置的晶片级基板架构能提供均匀的输出光、良好的光线撷取性质，且能改善制作工艺良率、提升产能与产品一致性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种基板架构，且特别是涉及一种适于承载如发光二极管(lightemitting diode, LED)的发光装置的晶片级(wafer level)基板架构。
技术介绍
相比较于白热光等其它光源,发光二极管(light emitting diode,LED)不但耗能较少，且也具有较长的寿命、较快的反应速度、较小的尺寸、较低维护成本以及良好的可靠度等优点。因此，LED从60年代开始就被广泛地使用。进一步而言，随着沉积技术的逐渐发展，相较于传统装置，能提供高亮度的LED便带来了新的应用，例如显示背光、汽车照明以及随身相机或是小型投射装置等新消费产品。 另一方面，随着LED制作工艺的发展，做为LED使用的硅基板的晶片级制造及封装技术也因此广泛发展。其中硅基板的晶片级制造及封装技术是利用以硅为基底的多芯片LED封装技术(multi-chip LED packaging)来实现,其可大大改善LED封装后的发光效率等光学性质，以及降低制造成本。一般而言，在晶片级LED的硅基板制作工艺中，硅基板主要是用来承载LED，其通过在硅基板上形成开口以嵌入LED。另外，基板的开口通常是利用蚀刻的方式制作，而常见的蚀刻例如为湿蚀刻制作工艺。然而，硅基板的蚀刻制作工艺经常会带来一些像是形成开口表面时所造成的缺陷、蚀刻结果的不一致及合格率低落的缺点。其中蚀刻结果的不一致及蚀刻缺陷可能会降低光反射的效果。除此之外，开口的形状与架构也会因为硅晶格的结构受到限制。由于硅基板的蚀刻制作工艺受到硅晶格的结构的影响非常大，故上述的缺点经常是无法避免的。
技术实现思路
据此，本专利技术的目的在于提供一种适于承载发光装置晶片级基板架构，其能够提供均匀的输出光、具有较好的光线撷取性质、能改善制作工艺良率以及提升产品的一致性。本专利技术的另一目的在于提出一种制造前述的适于承载发光装置的晶片级基板的方法。为达上述目的，本专利技术提供一种晶片级基板架构，其适于多个承载发光装置。晶片级基板架构包括一第一基板及一第二基板。金属线根据一预定图样建构于第一基板的一表面，且预定图样分成多个第一部分及多个第二部分。第二基板附着于第一基板的表面，且具有多个贯孔，其中贯孔分别对应第一部分，且每一第一部分适于电连接至少一发光装置。在本专利技术的一实施例中，上述的第一基板为硅基板或陶瓷基板，且第二基板为一玻璃基板、一娃基板或一蓝宝石基板。在本专利技术的一实施例中，上述的第二基板的贯孔是以一电脑数值控制(computernumerical control, CNC)制作工艺、激光钻孔制作工艺、干蚀刻制作工艺或湿蚀刻制作工艺来形成。在本专利技术的一实施例中，每一贯孔具有一内壁，且内壁的法向量与第一基板表面的法向量间的一角度为从30度到60度。在本专利技术的一实施例中，上述的贯孔为一锥形孔、一矩形孔、一方形孔或一梯形孔。在本专利技术的一实施例中，晶片级基板架构还包括一反射层。反射层形成于每一贯孔的内壁。 在本专利技术的一实施例中，上述的反射层的反射率大于80%。在本专利技术的一实施例中，上述的反射层为一金属层。在本专利技术的一实施例中，上述的反射层是以镀膜、电镀、蒸镀或溅镀制作工艺形成。在本专利技术的一实施例中，上述的第一基板及第二基板是以一晶片对晶片接合方法或是一晶片对晶片堆叠方法来连接。在本专利技术的一实施例中，晶片级基板架构及发光装置是通过球格阵列封装(ballgrid array, BGA)技术、表面固定技术(surface mount technique, SMT)或一般电线来连接。除此之外，本专利技术更提供一种制造适于承载发光装置的晶片级基板的方法，其包括下列步骤。首先，提供一第一基板，并于第一基板上建构一金属线。其中金属线根据一预定图样建构在第一基板表面，且预定图样分为多个第一部分及多个第二部分。然后，提供一第二基板，并于第二基板上形成多个贯孔。接下来，将第二基板附着于第一基板的表面。贯孔分别对应于第一部分，且每一第一部分适于电连接至少一发光装置。基于上述，在本专利技术的实施例中，由于使用了第二基板，故能避免现有技术的利用蚀刻硅制作工艺完成硅基板的缺点。通过第二基板的使用，本实施例的适于承载发光装置的晶片级基板架构能够提供均匀的输出光以及具有良好的光线撷取性质。另外，上述作法还能改善制作工艺合格率，并提高产品的一致性。此外，因为本专利技术使用简易制作工艺第二基板的关系，贯孔的外形和架构不再受限。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。附图说明所附附图为用以对本专利技术提供进一步理解，此些附图并入并构成此说明书的一部分；其绘示本专利技术的实施例，并与说明书一同用以解释本专利技术的原理。图IA为本专利技术一实施例的晶片级基板架构的剖视图；图IB为图IA的晶片级基板架构的贯孔的上视图；图2A至图2E为图IA的晶片级基板架构的制造步骤的剖视图；图3为解释图IA的晶片级基板架构制造过程的流程图。主要元件符号说明100:晶片级基板架构110:第一基板120 :第二基板111 :金属线112 :第一基板的表面113:预定图样114:第一部分115:第二部分121 :贯孔121a:内壁122 :反射层 N1、N2:法向量Θ :角度SI S5 :步骤具体实施例方式以下将仔细参照本专利技术的较佳实施例，其实例绘示所附附图中。在任何可能情况下，附图及说明书中所使用的相同标号表示相同或类似的部分。此些附图并未依实际比例绘示，而仅用以说明本专利技术。以下将参照用以说明的例示的实施方式叙述本专利技术的多个态样。应理解所提供的许多特定细节、关系及方法为用以提供本专利技术的全面性理解。另外，本专利技术可以许多不同形式来体现，而不应理解为仅限于以下所提出的实施例。举例而言，本专利技术可以方法或系统来作为体现。图IA绘示本专利技术一实施例的晶片级(wafer level)基板架构的剖视图。请参照图1A，晶片级基板架构100适于承载发光装置，其中发光装置例如为发光二极管(lightemitting diode, LED)。晶片级基板架构100包括一第一基板110及一第二基板120。金属线111根据一预定图样113建构于第一基板110的表面112之上。预定图样113分为多个第一部分114及多个第二部分115。第二基板120附着于第一基板110的表面112，且第一基板Iio和第二基板120例如是以晶片对晶片接合(wafer-to-wafer boding)方法或晶片对晶片堆叠(wafer-to-wfer stack)方法所连接。第二基板120具有多个贯孔121。贯孔121形成于第二基板120之上,且贯孔121分别对应于第一部分114。每一第一部分114适于电连接至少一个发光装置(未绘示)。进一步而言，本实施例的晶片级基板架构100还包括一反射层122。反射层122形成于每一贯孔121的一内壁121a上，以使嵌入贯孔121内部的发光装置能够提供均匀且高亮度的输出光。于此，反射层122的反射率高于80%，且本实施例的反射层122例如为一金属层。本实施例的金属层例如是以金(Au)、银(Ag)、镍(Ni)、铬(Cr)、铝(Al)或前者材料的组合所组成。另外，反射层122可以镀膜、电镀、蒸镀或溅镀制作工艺形成。在本实施例中，第一基板110可以是一硅基板或一本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种晶片级基板架构，适于承载发光装置，该晶片级基板架构包括：第一基板，其中一金属线根据一预定图样建构于该第一基板的一表面，且该预定图样分成多个第一部分及多个第二部分；以及第二基板，附着于该第一基板的该表面，且具有多个贯孔，其中该些贯孔分别对应该些第一部分，且每一第一部分适于电连接至少一发光装置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：何昕桦，唐迺元，薛全钦，
申请(专利权)人：奇景光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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