本实用新型专利技术涉及一种测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的装置，其特征在于它包括三极管芯片（1），所述三极管芯片（1）下面的金属承片台盘（4）上连接测试仪的集电极输入电流线（41），三极管芯片（1）外围的划片槽（5）扎设一根集电极反馈电压探针（51），所述集电极反馈电压探针（51）连接测试仪的集电极反馈电压线（52）。本实用新型专利技术三极管芯片背面集电极的输入电流线与反馈电压线分开，从而使得分立器件三极管芯片可以实现全方位开尔文测试，保证分立器件三极管芯片的正向与饱和压降的精确测试的装置。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的装置，属于分立器件芯片制造
技术介绍
分立器件三极管芯片正向与饱和压降一根直以来都没有一个有效的方式进行准确监控。随着市场对产品质量的要求越来越高，对影响产品质量的关键参数正向与饱和压降进行精确监控就越发显得重要。参见图I和图2，传统的测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的装置包括三 极管芯片1，三极管芯片I正面的基区(B) 2扎设一根基区输入电流探针21与一根基区反馈电压探针22，所述基区输入电流探针21与基区反馈电压探针22分别连接测试仪的基区输入电流线23和基区反馈电压线24 ;三极管芯片I正面的发射区(E)3扎设一根发射区输入电流探针31与一根发射区反馈电压探针32，所述发射区输入电流探针31与发射区反馈电压探针32分别连接测试仪的发射区输入电流线33和发射区反馈电压线34 ;三极管芯片I下面的金属承片台盘4上连接测试仪的集电极输入电流线41和集电极反馈电压线52。传统的三极管芯片正面的基区(B)与发射区(E)的输入电流线与反馈电压线分开，但是三极管芯片背面的集电极的输入电流线与反馈电压线都是从三极管芯片下方的金属承片台盘上引出的，输入电流线与反馈电压线无法分开，从而使得分立器件三极管芯片无法实现全方位开尔文测试，芯片背面金属层与金属承片台的接触电阻，影响分立器件三极管芯片的正向与饱和压降的精确测试。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述不足，提供一种能将三极管芯片背面集电极的输入电流线与反馈电压线分开，使得三极管芯片能实现全方位开尔文测试，有效的规避芯片背面金属层与金属承片台盘接触电阻所带来的负面影响，保证分立器件三极管芯片的正向与饱和压降能够得到精准测试的装置。本技术的目的是这样实现的一种测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的装置，它包括三极管芯片，所述三极管芯片正面的基区扎设一根基区输入电流探针与一根基区反馈电压探针，所述基区输入电流探针与基区反馈电压探针分别连接测试仪的基区输入电流线和基区反馈电压线；三极管芯片正面的发射区扎设一根发射区输入电流探针与一根发射区反馈电压探针，所述发射区输入电流探针与发射区反馈电压探针分别连接测试仪的发射区输入电流线和发射区反馈电压线；三极管芯片下面的金属承片台盘上连接测试仪的集电极输入电流线，三极管芯片外围的划片槽扎设一根集电极反馈电压探针，所述集电极反馈电压探针连接测试仪的集电极反馈电压线。与现有技术相比，本技术的有益效果是划片槽与三极管芯片背面的金属层相通，本技术就是利用这一点优势，通过在芯片正面划片槽扎设反馈电压探针将集电极反馈电压线从承片台移置芯片正面，集电极输入电流线依然连接金属承片台盘与三极管芯片背面的金属层相连，使三极管芯片背面集电极的输入电流线与反馈电压线也能分开，从而使得分立器件三极管芯片可以实现全方位开尔文测试，有效的规避芯片背面金属层与金属承片台盘接触电阻所带来的负面影响，保证分立器件三极管芯片的正向与饱和压降的精确测试。附图说明图I为传统测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的装置的芯片测试状态俯视图。图2为传统测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的装置的芯片测试状态正视图。图3为本技术测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的装置的芯片测试状态俯视图。图4为本技术测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的装置的芯片测试状态正视图。其中三极管芯片I基区2基区输入电流探针21基区反馈电压探针22基区输入电流线23基区反馈电压线24发射区3发射区输入电流探针31发射区反馈电压探针32发射区输入电流线33发射区反馈电压线34金属承片台盘4集电极输入电流线41划片槽5集电极反馈电压探针51集电极反馈电压线52。具体实施方式参见图3和图4，一种测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的装置，它包括三极管芯片1，所述三极管芯片I正面的基区(B) 2扎设一根基区输入电流探针21与一根基区反馈电压探针22，所述基区输入电流探针21与基区反馈电压探针22分别连接测试仪的基区输入电流线23和基区反馈电压线24 ;三极管芯片I正面的发射区(E)3扎设一根发射区输入电流探针31与一根发射区反馈电压探针32，所述发射区输入电流探针31与发射区反馈电压探针32分别连接测试仪的发射区输入电流线33和发射区反馈电压线34 ;三极管芯片I下面的金属承片台盘4上连接测试仪的集电极输入电流线41，三极管芯片I外 围的划片槽5扎设一根集电极反馈电压探针51，所述集电极反馈电压探针51连接测试仪的集电极反馈电压线52。权利要求1.一种测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的装置，它包括三极管芯片(1)，所述三极管芯片(I)正面的基区(2 )扎设一根基区输入电流探针(21)与一根基区反馈电压探针(22)，所述基区输入电流探针(21)与基区反馈电压探针(22)分别连接测试仪的基区输入电流线(23)和基区反馈电压线(24);所述三极管芯片(I)正面的发射区(3)扎设一根发射区输入电流探针(31)与一根发射区反馈电压探针(32)，所述发射区输入电流探针(31)与发射区反馈电压探针(32)分别连接测试仪的发射区输入电流线(33)和发射区反馈电压线(34);其特征在于所述三极管芯片(I)下面的金属承片台盘(4)上连接测试仪的集电极输入电流线(41)，所述三极管芯片(I)外围的划片槽(5)扎设一根集电极反馈电压探针(51)，所述集电极反馈电压探针(51)连接测试仪的集电极反馈电压线(52 )。专利摘要本技术涉及一种测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的装置，其特征在于它包括三极管芯片(1)，所述三极管芯片(1)下面的金属承片台盘(4)上连接测试仪的集电极输入电流线(41)，三极管芯片(1)外围的划片槽(5)扎设一根集电极反馈电压探针(51)，所述集电极反馈电压探针(51)连接测试仪的集电极反馈电压线(52)。本技术三极管芯片背面集电极的输入电流线与反馈电压线分开，从而使得分立器件三极管芯片可以实现全方位开尔文测试，保证分立器件三极管芯片的正向与饱和压降的精确测试的装置。文档编号G01R31/26GK202631689SQ20122021448公开日2012年12月26日 申请日期2012年5月14日 优先权日2012年5月14日专利技术者王新潮, 冯东明, 叶新民, 乐海波, 孙岩, 陈晓伦 申请人:江阴新顺微电子有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的装置，它包括三极管芯片（1），所述三极管芯片（1）正面的基区（2）扎设一根基区输入电流探针（21）与一根基区反馈电压探针（22），所述基区输入电流探针（21）与基区反馈电压探针（22）分别连接测试仪的基区输入电流线（23）和基区反馈电压线（24）；所述三极管芯片（1）正面的发射区（3）扎设一根发射区输入电流探针（31）与一根发射区反馈电压探针（32），所述发射区输入电流探针（31）与发射区反馈电压探针（32）分别连接测试仪的发射区输入电流线（33）和发射区反馈电压线（34）；其特征在于所述三极管芯片（1）下面的金属承片台盘（4）上连接测试仪的集电极输入电流线（41），所述三极管芯片（1）外围的划片槽（5）扎设一根集电极反馈电压探针（51），所述集电极反馈电压探针（51）连接测试仪的集电极反馈电压线（52）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王新潮，冯东明，叶新民，乐海波，孙岩，陈晓伦，
申请(专利权)人：江阴新顺微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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