一种芯片器件及其测试方法技术

本发明专利技术提供了一种芯片器件及其测试方法，所述芯片器件内置有n个模块和n个单端与差分转换电路，每个所述模块分别对应一个所述单端与差分转换电路，每个所述模块连接与该模块对应的单端与差分转换电路的差分端口，各个单端与差分转换电路的单端端口分别连接所述芯片器件的引脚；其中。本发明专利技术中在芯片器件内置有n个模块和n个单端与差分转换电路，每一个模块连接一个对应的单端与差分转换电路的差分端口，因此将所述模块输出的差分信号转换成单端信号或者将单端信号转换成差分信号后输出至所述模块，单端与差分转换电路的单端端口连接芯片器件的引脚，可见，每个模块只需占用一个引脚，因此n个模块只需占用n个引脚，从而节省宝贵的引脚资源。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片器件及其测试方法
本专利技术涉及测试领域，尤其是涉及一种芯片器件及其测试方法。
技术介绍
在现有技术中，芯片器件中通常包括多个模块，每个模块在输入或者输出模拟信号时，使用的是差分信号。因此，每一个模块需要占用芯片器件的两个引脚，用于输入或输出差分信号。显然，若一个芯片器件具有ｎ个模块，则ｎ个模块就会占用至少2ｎ个引脚。可见，现有技术中芯片器件的各个模块占用的引脚数量较多，从而造成了宝贵的引脚资源的浪费。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题在于提供一种芯片器件及其测试方法，实现减少模块占用芯片器件的引脚数量，从而节省宝贵的引脚资源。为此，本专利技术解决技术问题的技术方案是：本专利技术提供了一种芯片器件，所述芯片器件内置有ｎ个模块和ｎ个单端与差分转换电路，每个所述模块分别对应一个所述单端与差分转换电路，每个所述模块连接与该模块对应的单端与差分转换电路的差分端口，各个单端与差分转换电路的单端端口分别连接所述芯片器件的引脚；其中，所述ｎ为大于或等于1的自然数。优选地，所述芯片器件还内置有ｍ个开关电路，ｍ个所述单端与差分转换电路的单端端口分别通过所述ｍ个开关电路连接到所述芯片器件的引脚；该连接开关电路的各个引脚中，每个引脚至少连接有两个所述开关电路；其中，所述ｍ为小于或等于ｎ的自然数。优选地，所述ｍ等于ｎ，所述ｎ个单端与差分转换电路的单端端口分别通过ｎ个所述开关电路连接到所述芯片器件的同一引脚。优选地，所述芯片器件还设置有控制引脚，所述控制引脚接收到的控制信号用于控制所述开关电路的导通与闭合。优选地，任一个所述开关电路包括第一ＮＭＯＳ管和第一ＰＭＯＳ管；所述第一ＮＭＯＳ管的漏极和所述第一ＰＭＯＳ管的漏极相连，作为该开关电路的输入端口；所述第一ＮＭＯＳ管的源极和所述第一ＰＭＯＳ的源极相连，作为该开关电路的输出端口；若该开关电路连接的单端与差分转换电路的单端端口为该单端与差分转换电路的输出端口时，该开关电路的输入端口连接该单端端口；若该开关电路连接的单端与差分转换电路的单端端口为该单端与差分转换电路的输入端口时，该开关电路的输出端口连接该单端端口。优选地，所述单端与差分转换电路为单端转差分电路或者差分转单端电路。优选地，任一个所述差分转单端电路包括：第二ＰＭＯＳ管、第三ＰＭＯＳ管、第四ＰＭＯＳ管、第五ＰＭＯＳ管、第六ＰＭＯＳ管、第七ＰＭＯＳ管、第二ＮＭＯＳ管、第三ＮＭＯＳ管、第四ＮＭＯＳ管、第五ＮＭＯＳ管和第一电阻；第二ＰＭＯＳ管的源极、第三ＰＭＯＳ管的源极、第四ＰＭＯＳ管的源极以及第五ＰＭＯＳ管的源极连接到电源电压，第二ＰＭＯＳ管的栅极和第二ＮＭＯＳ管的栅极连接到该差分转单端电路的开启电压，第二ＰＭＯＳ管的漏极、第三ＰＭＯＳ管的漏极和栅极、第四ＰＭＯＳ管的栅极、第五ＰＭＯＳ管的栅极和第二ＮＭＯＳ管的漏极连接到偏置电压，第四ＰＭＯＳ管的漏极连接第六ＰＭＯＳ管的源极和第七ＰＭＯＳ管的源极，第六ＰＭＯＳ管的漏极连接第三ＮＭＯＳ管的漏极和栅极、以及第四ＮＭＯＳ管的栅极，第七ＰＭＯＳ管的漏极连接第四ＮＭＯＳ管的漏极和第五ＮＭＯＳ管的栅极，第五ＮＭＯＳ管的栅极通过第一电阻连接第五ＮＭＯＳ管的漏极和第五ＰＭＯＳ管的漏极，第五ＮＭＯＳ管的源极、第四ＮＭＯＳ管的源极、第三ＮＭＯＳ管的源极、第二ＮＭＯＳ管的源极连接到地电压，所述第五ＰＭＯＳ管的漏极作为该差分转单端电路的输出端口，第六ＰＭＯＳ管的栅极和第七ＰＭＯＳ管的栅极作为该差分转单端电路的输入端口。优选地，任一个所述单端转差分电路包括：第八ＰＭＯＳ管、第九ＰＭＯＳ管、第十ＰＭＯＳ管、第十一ＰＭＯＳ管、第十二ＰＭＯＳ管、第六ＮＭＯＳ管、第七ＮＭＯＳ管、第八ＮＭＯＳ管、第九ＮＭＯＳ管、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻和电容；第八ＰＭＯＳ管的源极、第九ＰＭＯＳ管的源极和第十ＰＭＯＳ管的源极连接到电源电压，第八ＰＭＯＳ管的漏极、第九ＰＭＯＳ管的栅极和漏极、第三电阻的第一端以及第十ＰＭＯＳ管的栅极连接到偏置电压，第三电阻的第二端连接第五电阻的第一端和第六ＮＭＯＳ管的源极，第六ＮＭＯＳ管的漏极连接第四电阻的第一端和第二电阻的第一端，第二电阻的第二端连接到所述电容的第一端和第十二ＰＭＯＳ管的栅极，第四电阻的第二端连接第六电阻的第一端和第十一ＰＭＯＳ管的栅极，第六ＮＭＯＳ管的栅极、第八ＰＭＯＳ管的栅极、第七ＮＭＯＳ管的栅极、第八ＮＭＯＳ管的栅极和第九ＮＭＯＳ管的栅极连接到该单端转差分电路的开启电压，第五电阻的第二端连接第七ＮＭＯＳ管的漏极，第七ＮＭＯＳ管的源极、第八ＮＭＯＳ管的源极、第九ＮＭＯＳ管的源极和所述电容的第二端连接到地电压，第十ＰＭＯＳ管的漏极连接到第十一ＰＭＯＳ管的源极和第十二ＰＭＯＳ管的源极，第十一ＰＭＯＳ管的漏极连接第八ＮＭＯＳ管的漏极，第十二ＰＭＯＳ管的漏极连接第九ＮＭＯＳ管的漏极；所述第六电阻的第二端为该单端转差分电路的输入端口，所述第十一ＰＭＯＳ管的漏极和所述第十二ＰＭＯＳ管的漏极为该单端转差分电路的输出端口。本专利技术还提供了一种芯片器件测试方法，所述芯片器件内置有ｎ个模块和ｎ个单端与差分转换电路，每个所述模块分别对应一个所述单端与差分转换电路，每个所述模块连接与该模块对应的单端与差分转换电路的差分端口，各个单端与差分转换电路的单端端口分别连接所述芯片器件的引脚；其中，所述ｎ为大于或等于1的自然数；所述ｎ个模块中具有至少一个待测试模块；所述方法包括：测试待测试模块为输出模块的模块所对应的引脚的输出信号，以及向待测试模块为输入模块的模块所对应的引脚输入测试信号；模块所对应的引脚为该模块通过单端与差分转换电路所连接的引脚。优选地，所述芯片器件还内置有ｍ个开关电路，ｍ个所述单端与差分转换电路的单端端口分别通过所述ｍ个开关电路连接到所述芯片器件的引脚；该连接开关电路的各个引脚中，每个引脚至少连接有两个所述开关电路；其中，所述ｍ为小于或等于ｎ的自然数；所述方法之前还包括：将待测试模块所对应的各个开关电路设置为导通状态，并且将除待测试模块外的其他模块所对应的各个开关电路设置为断开状态；模块所对应的开关电路为该模块通过单端与差分转换电路所连接的开关电路。通过上述技术方案可知，本专利技术中在芯片器件内置有ｎ个模块和ｎ个单端与差分转换电路，每一个模块连接一个对应的单端与差分转换电路的差分端口，因此将所述模块输出的差分信号转换成单端信号或者将单端信号转换成差分信号后输出至所述模块，单端与差分转换电路的单端端口连接芯片器件的引脚，可见，每个模块只需占用一个引脚，因此ｎ个模块只需占用ｎ个引脚，相比于现有技术中ｎ个模块需要占用2ｎ个引脚，减少了占用芯片器件的引脚数量，从而节省宝贵的引脚资源。附图说明图1为现有技术中的测试芯片器件时的电路连接；图2为本专利技术提供的芯片器件的第一实施例的具体结构图；图3为本专利技术提供的芯片器件的第二实施例的具体结构图；图4为本专利技术提供的芯片器件的第二实施例的一种优选的具体结构图；图5为本专利技术提供的一种开关电路的具体结构图；图6为本专利技术提供的一种差分转单端电路的具体结构图；图7为本专利技术提供的另一种差分转单端电路的具体结构图；图8为本专利技术提供的一种单端转差分电路的具体结构图；图9为本专利技术提供的另一种单端转差分电路的具体结构图；图10为本专利技术提供的芯片器件测试方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片器件，其特征在于，所述芯片器件内置有ｎ个模块和ｎ个单端与差分转换电路，每个所述模块分别对应一个所述单端与差分转换电路，每个所述模块连接与该模块对应的单端与差分转换电路的差分端口，各个单端与差分转换电路的单端端口分别连接所述芯片器件的引脚；其中，所述ｎ为大于或等于1的自然数。

【技术特征摘要】
1.一种芯片器件，其特征在于，所述芯片器件内置有n个模块和n个单端与差分转换电路，每个所述模块分别对应一个所述单端与差分转换电路，每个所述模块连接与该模块对应的单端与差分转换电路的差分端口，各个单端与差分转换电路的单端端口分别连接所述芯片器件的引脚；其中，所述n为大于或等于1的自然数；所述芯片器件还内置有m个开关电路，m个所述单端与差分转换电路的单端端口分别通过所述m个开关电路连接到所述芯片器件的引脚；该连接开关电路的各个引脚中，每个引脚至少连接有两个所述开关电路；其中，所述m为小于或等于n的自然数。2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述m等于n，所述n个单端与差分转换电路的单端端口分别通过n个所述开关电路连接到所述芯片器件的同一引脚。3.根据权利要求1或2所述的器件，所述芯片器件还设置有控制引脚，所述控制引脚接收到的控制信号用于控制所述开关电路的导通与闭合。4.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，任一个所述开关电路包括第一NMOS管和第一PMOS管；所述第一NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的漏极相连，作为该开关电路的输入端口；所述第一NMOS管的源极和所述第一PMOS的源极相连，作为该开关电路的输出端口；若该开关电路连接的单端与差分转换电路的单端端口为该单端与差分转换电路的输出端口时，该开关电路的输入端口连接该单端端口；若该开关电路连接的单端与差分转换电路的单端端口为该单端与差分转换电路的输入端口时，该开关电路的输出端口连接该单端端口。5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述单端与差分转换电路为单端转差分电路或者差分转单端电路。6.根据权利要求5所述的器件，其特征在于，任一个所述差分转单端电路包括：第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第一电阻；第二PMOS管的源极、第三PMOS管的源极、第四PMOS管的源极以及第五PMOS管的源极连接到电源电压，第二PMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极连接到该差分转单端电路的开启电压，第二PMOS管的漏极、第三PMOS管的漏极和栅极、第四PMOS管的栅极、第五PMOS管的栅极和第二NMOS管的漏极连接到偏置电压,第四PMOS管的漏极连接第六PMOS管的源极和第七PMOS管的源极，第六PMOS管的漏极连接第三NMOS管的漏极和栅极、以及第四NMOS管的栅极，第七PMOS管的漏极连接第四NMOS管的漏极和第五NMOS管的栅极，第五NMOS管的栅极通过第一电阻连接第五NMOS管的漏极和第五PMOS管的漏极，第五NMOS管的源极、第四NMOS管的源极、第三NMOS管的源极、第二NMOS管的源极连接到地电压，所述第五PMOS管的漏极作为该差分转单端...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈志坚，胡胜发，
申请(专利权)人：安凯广州微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44