多芯片存储器件和控制该存储器件的方法技术

提供了一种多芯片存储器件和控制该存储器件的方法。多芯片存储器件包括：第一存储器芯片；以及第二存储器芯片，与第一存储器芯片共享输入/输出信号线，其中，第一存储器芯片和第二存储器芯片中的每一个通过参考命令历史确定是否执行没有附带地址的命令。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体存储器件，更具体地，涉及包括多个存储器芯片的。
技术介绍
随着移动设备技术发展，要求小型化的和重量轻的半导体产品。为此，更多的器件被集成在单个芯片面积上以增加功能和容量。而且，开发了用于把多个芯片集成到一个半导体芯片封装中的技术。在封装技术中，双管芯封装(Dual Die Package, DDP)是一种多芯片封装技术,并且是用于把具有相同结构的两个芯片安装在一个封装中的技术。由于这两个芯片具有相同的接口，所以如果DDP的操作和单个芯片的相同则其是有益的。
技术实现思路
示范性实施例提供了一种包括多个被封装的相同存储器芯片的，所述多芯片存储器件被外部存储器控制器识别为单个存储器芯片并作为单个存储器芯片来控制。根据示范性实施例的方面，提供了一种多芯片存储器件，其包括第一存储器芯片；以及第二存储器芯片，其与第一存储器芯片共享输入/输出信号线，其中，第一存储器芯片和第二存储器芯片中的每一个通过参考命令历史确定是否执行没有附带地址的命令。没有附带地址的(unaccompanied by an address)命令可以是状态读取命令。第一存储器芯片和第二存储器芯片中的一个可以响应于状态读取命令通过输出驱动器输出当前执行的操作的状态。第一存储器芯片和第二存储器芯片中没有输出当前执行的操作的状态的一个可以将输出驱动器的输出端子保持在高阻(Hi-Z)状态。第一存储器芯片和第二存储器芯片中的每一个还可以包括芯片选择器，其通过参考芯片地址检测是否选择芯片；命令跟踪器，其顺序地存储输入的命令和被选择芯片的状态数据；以及，输出使能控制器，其参考状态读取命令和状态数据控制输出驱动器输出状态数据。没有附带地址的命令可以包括挂起命令或恢复命令。第一存储器芯片和第二存储器芯片中的每一个可以存储连续输入的命令和命令的输入顺序信息。当挂起命令或恢复命令被输入时，第一存储器芯片和第二存储器芯片中的每一个可以通过参考命令的输入顺序信息确定挂起操作或恢复操作。当挂起命令被输入时，第一存储器芯片和第二存储器芯片中最近选择的一个芯片挂起正被执行的操作。当恢复命令被输入时，可以首先恢复最近操作通过挂起命令挂起的存储器芯片的被挂起的操作。第一存储器芯片和第二存储器芯片中的每一个可以包括芯片选择器，其参考芯片地址检测是否选择芯片；以及，命令跟踪器，其存储对应于第一存储器芯片和第二存储器芯片中的每一个的命令的历史信息和命令的输入顺序信息，其中，命令跟踪器通过参考历史息和输入顺序息来确定执行挂起命令还是恢复命令。命令跟踪器可以将最近通过芯片地址选择的一个存储器芯片的操作设置成要响应于挂起命令被首先挂起。命令跟踪器可以响应于恢复命令将最近通过芯片地址选择的一个存储器芯片的操作设置成将首先被恢复。根据另一不范性实施例的方面，提供了一种输出包括共享输入/输出信号线的多个存储器芯片的多芯片存储器件的状态信号的方法，包括存储从外部提供的命令和地址； 参考命令和地址，存储被选择的芯片的驱动状态；从外部接收状态读取命令；以及，输出被选择芯片的驱动状态信号，并把未被选择的存储器芯片的输出端子设置在高阻(Hi-Z)状态。 状态读取命令可以输出没有附带芯片地址的状态信号。根据另一示范性实施例的方面，提供了一种在包括共享输入/输出信号线的多个存储器芯片的多芯片存储器件中执行命令的方法，包括存储用于多芯片中的每一个的命令和命令的输入顺序信息；接收挂起命令或恢复命令；以及，当通过参考存储的命令和输入序列信息执行挂起操作或恢复操作时，首先挂起或恢复最近从多个存储器芯片中选择的一个存储器芯片的操作。当挂起命令或恢复命令被输入时，可以不提供芯片地址。首先挂起或恢复的操作可以包括响应于挂起命令首先挂起最近通过芯片地址选择的一个存储器芯片的操作。首先挂起或恢复的操作可以包括响应于恢复命令首先恢复最近通过芯片地址选择的一个存储器芯片的操作。根据另一示范性实施例的方面，提供了一种多芯片存储器件，包括第一存储器芯片；以及，第二存储器芯片，与第一存储器芯片共享输入/输出信号线，其中，当从多芯片存储器件外部的外部设备输入的地址和存储器单元阵列中的特定地址匹配时，第一存储器芯片和第二存储器芯片中的每一个访问缓冲存储器而不访问存储器单元阵列。第一存储器芯片和第二存储器芯片中的每一个还可以包括叠加窗口使能模式选择器，其根据来自外部设备的地址与特定地址是否匹配来确定是否进入叠加窗口使能模式。在叠加窗口使能模式期间，输入地址被同时存储在第一存储器芯片和第二存储器芯片中。附图说明附图被包括以提供进一步的理解，并且附图被结合在本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了示范性实施例，并且与描述一起，用来解释本专利技术概念的原理。在附图中图I是示出根据示范性实施例的存储器系统的框图；图2是根据示范性实施例的多芯片存储器件的框图；图3是示出根据示范性实施例的操作多芯片存储器件200的方法的流程图；图4是示出根据示范性实施例的多芯片存储器件的框图；图5是示出图4的多芯片存储器件的输出驱动器的电路图；图6是示出根据示范性实施例的多芯片存储器件的操作的定时图；图7是示出根据另一示范性实施例的多芯片存储器件的命令堆栈操作的流程图；图8是示出图2的多芯片存储器件的CMD跟踪器的框图；图9是示出在单芯片情况下编程PGM和擦除ERS操作的状态图；图10是示出根据示范性实施例的多芯片存储器件中编程PGM和擦除ERS操作的状态图；图11是根据另一示范性实施例的多芯片存储器件的定时图；图12是示出图2的多芯片存储器件中的存储器单元阵列和叠加窗口寄存器的框图；图13是示出根据另一示范性实施例的多芯片存储器件的操作的流程图；图14是示出图2的多芯片存储器件的OWEN模式选择器的配置的框图；图15是示出图14的OWEN模式选择器的OWBA比较器的逻辑图；以及图16是示出根据示范性实施例的包括半导体存储器的信息处理系统的框图。具体实施例方式应该理解，前述一般性说明和下面的详细描述是示范性的。在示范性实施例中详细指示了参考数字，并且它们的例子被表示在参考附图中。在每种可能的情况下，在描述和附图中，相同的参考数字用于指示相同或者类似的元素。相同的参考数字通篇指示相同的元素。本专利技术概念可通过其它示范性实施例来具体实施或者应用。此外，详细描述可以根据不同的观点和应用而修正或者修改，并且这些观点和应用在本专利技术概念的范围、技术理念和其它目的以内。下面将参考附图更详细地描述示范性实施例。图I是示出根据示范性实施例的存储器系统的框图。存储器系统包括存储器控制器100和多芯片存储器件200。存储器控制器100把用于编程和读取操作的命令和地址传送到多芯片存储器件 200。存储器控制器100可以执行一般的控制操作以响应于来自主机的请求来访问多芯片存储器件200。多芯片存储器件200包括第一芯片(MCl) 220和第二芯片(MC2) 240。第一芯片220 和第二芯片240可以包括具有相同结构的管芯(die)。即，第一芯片220的管芯可以具有和第二芯片240的管芯相同的结构。对应于第一芯片220和第二芯片240的管芯中的每一个，从存储器控制器100接收相同的命令和地址。多芯片存储器件200实际包括多个存储器芯片，例如，第一芯片220和第二芯片24本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：郑会柱，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：