芯片测试方法技术

本发明专利技术提供了一种芯片测试方法，用于在芯片的中测或成测工艺中测试芯片与温度相关的测试项，包括：向待测芯片内部的功率器件施加电压或电流，并通过调节所施加的电压或电流的大小以及对应的施加时间,控制所述待测芯片的温度达到预设温度；在所述待测芯片的温度达到所述预设温度后，测试所述待测芯片与温度相关的测试项。其利用芯片内部的功率器件在通电后会产生功耗，进而提升芯片整体的温度，完成对芯片与温度相关的测试项的测试，无需外加任何加热装置，在中测和成测时均适用，方法简单，便于使用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种芯片测试方法。
技术介绍
一般情况下，芯片的生产测试分为中测和成测，中测是指晶圆流片完成后，在划片封装之前，通过探针将晶圆上的芯片引脚连接到测试电路，对芯片进行功能和参数测试；成测是指在芯片完成封装之后，通过机械手将芯片连接至测试电路，对芯片进行最终测试。芯片的功能和参数中会有涉及到与温度相关的测试项，而测试车间环境为恒温恒湿，因此需要对芯片进行加热方能完成与温度相关的测试项。对于成测，传统的方法是在机械手上附加加热装置，当机械手抓取芯片时，对芯片进行加热，进而进行与温度相关的测试项。而对于中测，由于无法通过探针对芯片加热，因此目前尚无很好的办法进行温度相关的测试。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提出一种芯片测试方法，无需外加加热装置，即可完成中测、成测的温度测试项。本专利技术提供的芯片测试方法，用于在芯片的中测或成测工艺中测试芯片与温度相关的测试项，包括以下步骤：向待测芯片内部的功率器件施加电压或电流，并通过调节所施加的电压或电流的大小以及对应的施加时间,控制所述待测芯片的温度，使所述待测芯片的温度达到预设温度；在所述待测芯片的温度达到所述预设温度后，测试所述待测芯片与温度相关的测试项。作为一种可实施方式，所述向待测芯片内部的功率器件施加电压或电流，并通过调节所施加的电压或电流的大小以及对应的施加时间，控制所述待测芯片的温度，使
所述待测芯片的温度达到预设温度，包括以下步骤：检测所述待测芯片内部的特定元器件或过温保护模块的温度与其电特性之间的关系，得到所述特定元器件或所述过温保护模块的温度特性；从除所述待测芯片的地线引脚以外的一个或多个引脚向所述待测芯片中的所述功率器件施加电压或电流；根据获取的所述特定元器件或所述过温保护模块的温度特性，调整向所述功率器件施加的电压或电流的大小以及施加时间，控制所述待测芯片的温度，使所述待测芯片的温度达到所述预设温度。作为一种可实施方式，根据获取的所述特定元器件或所述过温保护模块的温度特性，调整向所述功率器件施加的电压或电流的大小以及施加时间，控制所述待测芯片的温度，使所述待测芯片的温度达到所述预设温度，包括以下步骤：根据获取的所述特定元器件或过温保护模块的温度特性，通过反馈电路，调整向所述功率器件施加的电压或电流的大小以及施加时间，控制所述待测芯片的温度，使所述待测芯片的温度达到所述预设温度。作为一种可实施方式，所述特定元器件为二极管或三极管。作为一种可实施方式，所述特定元器件的电特性为通入一定电流时的电压值，所述过温保护模块的电特性为过温保护状态。作为一种可实施方式，所述功率器件为静电释放器件。作为一种可实施方式，所述功率器件为电阻、或MOS管、或二极管。作为一种可实施方式，在向待测芯片内部的功率器件施加电压或电流，并通过调节所施加的电压或电流的大小以及对应的施加时间,控制所述待测芯片的温度时，还包括以下步骤：通过测试所述待测芯片的温度的大小，判断所述待测芯片是否存在热阻异常和/或热容异常。作为一种可实施方式，所述热阻异常由所述待测芯片的封装异常引起。本专利技术相比于现有技术的有益效果在于：本专利技术提供的芯片测试方法，在芯片的中测或成测工艺中，通过向待测芯片内部的功率器件施加电压或电流，并通过调节所施加的电压或电流的大小以及对应的施加时间,控制待测芯片的温度达到预设温度，之后测试待测芯片与温度相关的测试项。
其利用芯片内部的功率器件在通电后会产生功耗，进而提升芯片整体的温度，完成对芯片与温度相关的测试项的测试，无需外加任何加热装置，在中测和成测时均适用，方法简单，便于使用。附图说明图1为本专利技术提供的芯片测试方法的一实施例的流程图；图2为本专利技术提供的芯片测试方法的另一实施例的示意图；图3为本专利技术提供的芯片测试方法的又一实施例的示意图；图4为本专利技术提供的芯片测试方法的再一实施例的示意图；图5为图4中的二极管D2的电压随温度的变化曲线示意图。具体实施方式以下结合附图，对本专利技术上述的和另外的技术特征和优点进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的部分实施例，而不是全部实施例。请参阅1，本专利技术实施例一提供的芯片测试方法，用于在芯片的中测或成测工艺中测试芯片与温度相关的测试项，包括以下步骤：S100、向待测芯片内部的功率器件施加电压或电流，并通过调节所施加的电压或电流的大小以及对应的施加时间,控制待测芯片的温度，使所述待测芯片的温度达到预设温度；S200、在待测芯片的温度达到预设温度后，测试待测芯片与温度相关的测试项。上述功率器件可以为静电释放器件，例如电阻、或MOS管、或二极管。通过对待测芯片内的电阻、MOS管或者二极管施加一定电流或电压，并持续一定时间，这样待测芯片内部就会产生一定功耗，从而使芯片温度升高。本实施例提供的芯片测试方法，利用芯片内部的功率器件在通电后会产生功耗，进而提升芯片整体的温度，完成对芯片与温度相关的测试项的测试，无需外加任何加热装置，在中测和成测时均适用，方法简单，便于使用。作为一种可实施方式，上述步骤S100可以包括以下步骤：S110、检测待测芯片内部的特定元器件或过温保护模块的温度与其电特性之间的关系，得到特定元器件或过温保护模块的温度特性；S120、从除待测芯片的地线引脚以外的一个或多个引脚向待测芯片中的功率器件施加电压或电流；S130、根据获取的特定元器件或过温保护模块的温度特性，调整向功率器件施加的电压或电流的大小以及施加时间，控制待测芯片的温度，使待测芯片的温度达到预设温度。其中，上述的特定元器件可以是二极管，也可以是三极管，其电特性为通入一定电流时的电压值。过温保护模块的电特性为过温保护状态，例如，过温后停止开关，过温后VCC电流加大，或者过温后，开关频率降低，开关延时导通等。作为一种可实施方式，上述步骤S130可以通过设置反馈电路实现控制待测芯片的温度达到预设温度。本实施例在对待测芯片测试前，先测试待测芯片中特定元器件或过温保护模块的温度特性，被测试的特定元器件或过温保护模块在不同的芯片中的温度特性是基本一致的。然后，从除地线引脚以外的一个或多个引脚向待测芯片中的功率器件施加电压或电流，对待测芯片加温一段时间后，通过测试这些特定元器件的电压或电流值，来确定当前的芯片温度，从而控制待测芯片的温度达到预设温度，最后完成和温度相关的测试项。需要说明的是，为防止芯片在生产或应用时产生静电损伤，芯片内部除地线引脚以外，其余引脚均会放置静电释放器件，其结构通常为一个连接在引脚和地线之间的二极管，二极管的阳极接地线，阴极接引脚，二极管的耐压高于该引脚的额定最大工作电压，正常工作时不会对电路产生任何影响。例如，可以测试二极管的电压的温度特性，通过测试二极管的电压得到当前温度。二极管在某一电流下，电压随温度的变化如图5所示。由于测试的时间非常短，都是us级的，在该时间内，认为待测芯片的温度基本不变。在步骤S100，向待测芯片内部的功率器件施加电压或电流，并通过调节所施加的电压或电流的大小以及对应的施加时间,控制待测芯片的温度的过程中，还包括以下步骤：通过测试待测芯片的温度的大小，判断待测芯片是否存在热阻异常和/或热容异常。上述热阻异常由待测芯片的封装异常引起。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片测试方法，用于在芯片的中测或成测工艺中测试芯片与温度相关的测试项，其特征在于，包括以下步骤：向待测芯片内部的功率器件施加电压或电流，并通过调节所施加的电压或电流的大小以及对应的施加时间,控制所述待测芯片的温度，使所述待测芯片的温度达到预设温度；在所述待测芯片的温度达到所述预设温度后，测试所述待测芯片与温度相关的测试项。

【技术特征摘要】
1.一种芯片测试方法，用于在芯片的中测或成测工艺中测试芯片与温度相关的测试项，其特征在于，包括以下步骤：向待测芯片内部的功率器件施加电压或电流，并通过调节所施加的电压或电流的大小以及对应的施加时间,控制所述待测芯片的温度，使所述待测芯片的温度达到预设温度；在所述待测芯片的温度达到所述预设温度后，测试所述待测芯片与温度相关的测试项。2.根据权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，所述向待测芯片内部的功率器件施加电压或电流，并通过调节所施加的电压或电流的大小以及对应的施加时间，控制所述待测芯片的温度，使所述待测芯片的温度达到预设温度，包括以下步骤：检测所述待测芯片内部的特定元器件或过温保护模块的温度与其电特性之间的关系，得到所述特定元器件或所述过温保护模块的温度特性；从除所述待测芯片的地线引脚以外的一个或多个引脚向所述待测芯片中的所述功率器件施加电压或电流；根据获取的所述特定元器件或所述过温保护模块的温度特性，调整向所述功率器件施加的电压或电流的大小以及施加时间，控制所述待测芯片的温度，使所述待测芯片的温度达到所述预设温度。3.根据权利要求2所述的芯片测试方法，其特征在于，根据获取的所述特定元器件或所述过温保护模块的温度特性，调整向所述功率器件施加的电...

【专利技术属性】
技术研发人员：白浪，黄必亮，任远程，周逊伟，
申请(专利权)人：杰华特微电子杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33