【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及驱动
,特别涉及一种测试电路。
技术介绍
随着低温多晶硅(LTPS)半导体薄膜晶体管的发展,由于LTPS半导体本身超高载流子迁移率的特性,相应的面板周边的集成电路也成为大家关注的焦点。现有的测试电路(Array Test区域),用于在Array基板制作完成之后,对阵列基板的电性进行测试;测试电路通过外部扎针输入的公共信号和时钟信号生成多个测试数据信号,并通过驱动芯片提供的控制信号控制多个薄膜晶体管的开启和关闭,以控制测试数据信号的输出;每个薄膜晶体管连接一条数据线。当测试电路工作时,控制信号为高电平,且外部扎针有输入信号;当测试电路工作时,控制信号为低电平,外部扎针无输入信号;导致薄膜晶体管的输入端处于浮动(Floating)状态,也即不受任何信号的控制。如果当Floating端口有很大的负极性静电(比如大于薄膜晶体管的控制端的电压)导入时,会使得薄膜晶体管的栅极到源极之间的电压Vgs>0,将会出现导通的状况,此时负极性的静电会导入到显示区域的数据线(Dataline)上,
此时面板可能会出现显示画面异常的情况,从而降低了面板的显示效果。故,有必要提出一种测试电路,以解决上述技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种测试电路,以解决现有技术中现有测试电路的容易在测试完毕时,容易将静电输入到显示区域中,导致面板的显示异常的技术问题。为解决上述问题,本专利技术的技术方案如下:一种测试电路,其包括:其中所述测试电路用于对显示区域的薄膜晶体管进行检测;所述显示区域包括n条数据线,其中n大于等于2;测试 ...
【技术保护点】
一种测试电路,其特征在于,包括:其中所述测试电路用于对显示区域的薄膜晶体管进行检测;所述显示区域包括n条数据线,其中n大于等于2;测试公共信号输入端、测试时钟信号输入端、测试控制端、n个数据输出端、第一静电控制端、第二静电控制端;所述数据输出端用于向对应的所述数据线输入测试数据信号;所述数据输出端与所述数据线一一对应;所述测试电路还包括:信号产生模块,分别与所述测试公共信号输入端、所述测试时钟信号输入端连接;所述信号产生模块用于生成与所述数据线对应的测试数据信号;控制模块,分别与所述测试控制端以及n个数据输出端连接,所述控制模块用于在所述测试电路处于工作状态时,控制所述测试数据信号的输出;静电抑制模块,与所述第一静电控制端、所述第二静电控制端、所述控制模块以及所述信号产生模块连接,所述静电抑制模块用于在所述测试电路处于非工作状态时,阻止所述数据输出端输出。
【技术特征摘要】
1.一种测试电路,其特征在于,包括:其中所述测试电路用于对显示区域的薄膜晶体管进行检测;所述显示区域包括n条数据线,其中n大于等于2;测试公共信号输入端、测试时钟信号输入端、测试控制端、n个数据输出端、第一静电控制端、第二静电控制端;所述数据输出端用于向对应的所述数据线输入测试数据信号;所述数据输出端与所述数据线一一对应;所述测试电路还包括:信号产生模块,分别与所述测试公共信号输入端、所述测试时钟信号输入端连接;所述信号产生模块用于生成与所述数据线对应的测试数据信号;控制模块,分别与所述测试控制端以及n个数据输出端连接,所述控制模块用于在所述测试电路处于工作状态时,控制所述测试数据信号的输出;静电抑制模块,与所述第一静电控制端、所述第二静电控制端、所述控制模块以及所述信号产生模块连接,所述静电抑制模块用于在所述测试电路处于非工作状态时,阻止所述数据输出端输出。2.根据权利要求1所述的测试电路,其特征在于,所述信号产生模块具有n个输出端;所述静电抑制模块包括第一静电抑制单元和第二静电抑制
\t单元;所述第一静电抑制单元包括第一薄膜晶体管组;所述第一薄膜晶体管组中的每个薄膜晶体管的第一抑制输出端与所述信号产生模块的第2k+1输出端中的一个连接;每个所述第一抑制输出端对应一所述第2k+1输出端;所述第一薄膜晶体管组中的每个薄膜晶体管的输入端与所述第一静电控制端连接;其中k大于等于0;所述第一薄膜晶体管组中的每个薄膜晶体管的控制端与所述测试控制端连接。3.根据权利要求2所述的测试电路,其特征在于,所述第二静电抑制单元包括第二薄膜晶体管组;所述第二薄膜晶体管组中的每个薄膜晶体管的第二抑制输出端与所述信号产生模块的第2k输出端中的一个连接,每个所述第二抑制输出端对应一所述第2k输出端;所述第二薄膜晶体管组中的每个薄膜晶体管的输入端与所述第二静电控制端连接;所述第二薄膜晶体管组中的每个薄膜晶体管的控制端与所述测试控制端连接。4.根据权利要求1所述的测试电路,其特征在于,所述测试时钟信号输入端包括m个总测试时钟信号输入端;所述信号产生模块包括第一信号产生单元和第二信号产生单元;所述第一信号产生单元包括第三薄膜晶体管组,所述第三薄膜晶体管组包括m个复用薄膜...
【专利技术属性】
技术研发人员:马亮,赵莽,
申请(专利权)人:武汉华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北;42
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