一种集成电路制造工艺技术中的浅沟隔离工艺制造技术

本发明专利技术属集成电路制造工艺技术领域，具体是一种不使用有源区硬掩膜和化学机械抛光工艺流程的浅沟隔离工艺。浅槽隔离技术（ＳＴＩ）是随着深亚微米集成电路技术的发展，而产生的一种新兴的场区隔离技术。其中较为突出的是在化学机械抛光工艺中的Ｄｉｓｈｉｎｇ和Ｅｒｏｓｉｏｎ的问题；有源区保护硬掩膜刻蚀中产生的硅锥问题。本发明专利技术工艺是在硅表面直接淀积高密等离子氧化层产生隔离槽并在其表面淀积薄膜，利用材料的表面回流和平坦化回刻刻蚀工艺达到平坦效果，取代化学机械抛光和有源区保护硬掩膜工艺，有效解决上述问题。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属集成电路工艺
，具体涉及一种不使用有源区硬掩膜和化学机械抛光工艺流程的浅沟隔离制造工艺。
技术介绍
在半导体集成电路工艺中，传统的隔离技术是自对准场氧化隔离技术，即以硬掩膜掩蔽有源区，将场区的衬底硅暴露，然后用热氧化的方法，产生隔离区氧化硅。这种方法简单，实用性强，所用生产工艺成熟，缺点是会在有源区边界形成‘鸟嘴’区，如图1所示成为深亚微米工艺的发展中提高集程度的瓶颈。实践中，‘鸟嘴’的尺寸很难减少到0.1μm以下。因此，当微电子工艺的特征尺寸减小到0.25μm，场氧化工艺逐渐被浅槽隔离技术(STI)工艺所代替。用硬掩膜的保护有源区，将场区刻槽，再用CVD的方法在槽中形成隔离介质，如图1所示STI工艺的优点是明显的，可以最有效的利用有源区的线宽，提高集程度。结合化学机械抛光工艺的STI技术可以做到极高的表面平坦化，增加后道布线的层数。但是，STI工艺也存在工艺复杂，不易控制的问题。常见的有，STI氧化硅过磨削(Dishing)和有源区硬掩膜过磨削(Erosion)。STI氧化硅过磨削(Dishing)问题由于图形密度的影响，CMP工艺在不同图形区域的磨削速率不同本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路制造工艺技术中的浅沟隔离工艺，其特征在于直接对硅表面工艺处理产生隔离槽，淀积２～５层薄膜，采用材料的表面回流和平坦化回刻刻蚀工艺，形成浅沟隔离。

【技术特征摘要】
1.一种集成电路制造工艺技术中的浅沟隔离工艺，其特征在于直接对硅表面工艺处理产生隔离槽，淀积2~5层薄膜，采用材料的表面回流和平坦化回刻刻蚀工艺，形成浅沟隔离。2.根据权利要求1所述的浅沟隔离工艺，其特征在于所述材料的表面回流，是使用化学气相沉积、物理气相沉积或旋涂工艺淀积表面回流材料并加以烘烤，达到回流效果。3.根据权利要求2所述的浅沟隔离工艺，其特征在于所述的表面回流材料是硼磷硅玻璃、磷硅玻璃、硼硅玻璃或旋涂硅玻璃，所述烘烤温度为120度-500度。4.根据权利要求1所述的浅沟隔离工艺，其特征在于主要步骤是(1)光刻、刻蚀有源区、去胶、清洗；...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱骏，金虎，
申请(专利权)人：上海华虹集团有限公司，上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]