【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种集成电路制造工艺缺陷检测的方法,特别是一种利用FPGA芯片进行集成电路制造工艺缺陷检测的方法。
技术介绍
集成电路生产线工艺异常精密而复杂,新工艺在正式量产启用前需要进行大量的投片试验和验证研究,通过对试验圆片进行精确的缺陷定位和机理检测,找到系统性的制造工艺缺陷原因,同时建立合适的版图设计规则体系,确保正式生产时的成品率。目前,广泛使用的方法是利用SRAM芯片进行工艺缺陷检测检测,这是由于SRAM单元规则排列,有唯一的地址信息,方便进行故障定位,容易进行缺陷机理检测。但是SRAM芯片的结构和单元排布非常规律,只能反应与它类似结构的缺陷情况,而生产线实际投入使用时的用户设计 是千变万化的,SRAM很难覆盖更多的缺陷类型。另外,还可以专门设计DFT/DFM (可测性设计/可制造性设计)芯片,这种类型芯片虽然能覆盖更多的缺陷情况,但是需求很高的芯片设计水平,也会带来更复杂的缺陷检测过程。虽然以往的方法也能实现工艺缺陷检测,但是其检测速度比较低,覆盖的缺陷类型少于实际情况,或者需要定制设计测试芯片,代价高昂。
技术实现思路
本专利技术的技术解决问题是克服 ...
【技术保护点】
一种利用FPGA芯片进行集成电路制造工艺缺陷检测的方法,其特征在于包括如下步骤:(1)利用四种类型的配置码流向量对FPGA芯片的配置存储器进行回读测试,获得配置存储器的测试数据;(2)检测测试数据,获得发生故障的配置存储器的坐标信息;(3)根据故障坐标信息,统计出子模块级别、芯片级别和圆片级别三种级别的故障分布图;(4)对三种级别下的故障分布图分别进行垒叠,获得故障点分布密度;(5)对分布密度均匀性进行检测,获得工艺缺陷高发区域从而完成检测。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:周涛,张帆,王岚施,陈雷,李学武,张彦龙,刘增荣,王思聪,
申请(专利权)人:北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。