太阳电池单元检查装置制造方法及图纸

本发明专利技术是有关于一种太阳电池单元检查装置，可在相同的位置，同时对反射影像与透射影像进行拍摄。太阳电池单元检查装置包括向半导体晶圆的第一面照射可见光的第一照射部；接收半导体晶圆所反射的可见光以取得半导体晶圆的反射影像的第一拍摄部；向与半导体晶圆的第一面相向的第二面照射红外光的第二照射部；接收透过半导体晶圆的红外光以取得半导体晶圆的透射影像的第二拍摄部；基于反射影像及透射影像，判定半导体晶圆是否存在缺陷的判定部。上述太阳电池单元检查装置的特征在于：包括配置在第一拍摄部及第二拍摄部之间的分束器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种太阳电池单元(cell)检查装置。
技术介绍
在下述的专利文献I中揭示了如下的检查方法，该检查方法判定如下的多晶半导体晶圆(wafer)的内部是否存在缺陷,所述多晶半导体晶圆的大小为156mm见方且厚度为180μπι程度。根据此种检查方法，向多晶半导体晶圆的下表面(一个面)照射红外光(900nm-1100nm)，借由配置于多晶半导体晶圆的上表面(另一个面)侧的红外线相机 (infrared camera),接收透过多晶半导体晶圆的红外光,从而获得透射影像。接着,基于已获得的透射影像，判定多晶半导体晶圆的内部是否存在缺陷。即，若多晶半导体晶圆的内部存在空隙(void)或裂缝(crack)等的缺陷，则照射的红外光会因缺陷而散射，透射的红外光的强度下降，因此，所述缺陷在透射影像中表现为昏暗的部分。另外，在下述的专利文献2中揭示了如下的检查方法，该检查方法判定多晶半导体晶圆的表面是否存在缺陷。根据此种检查方法，向多晶半导体晶圆的上表面照射激光， 借由配置于多晶半导体晶圆的上表面侧的相机，接收多晶半导体晶圆所反射的激光，从而获得反射影像。接着，基于已获得的反射影像，判定多晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳电池单元检查装置，其特征在于包括：第一照射部，向平板形状的半导体晶圆的第一面照射可见光；第一拍摄部，接收所述半导体晶圆所反射的所述可见光，借此，取得所述半导体晶圆的反射影像；第二照射部，向与所述半导体晶圆的所述第一面相向的所述半导体晶圆的第二面照射红外光；第二拍摄部，接收透过所述半导体晶圆的所述红外光，借此，取得所述半导体晶圆的透射影像；以及判定部，基于所述反射影像及所述透射影像，判定所述半导体晶圆是否存在缺陷，上述太阳电池单元检查装置的特征在于：包括配置在所述第一拍摄部及所述第二拍摄部之间的分束器，所述分束器将不足设定波长的光引导至第一拍摄部，并且将设定波长以上的光引导至第二拍摄部。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：高见芳夫，桥本豊之，北原大，
申请(专利权)人：株式会社岛津制作所，
类型：发明
国别省市：