磷硼预扩散工艺用测试片的复用方法技术

本发明专利技术揭示了一种磷硼预扩散工艺用测试片的复用方法，其先在新的测试片上生长一层氧化层；再使用氢氟酸溶液刻蚀去除测试片表面一半的氧化层直至露出裸硅；继而将一半具有氧化层的测试片投入正常使用，且使用后采用氢氟酸溶液剥除所有氧化层，测量原裸硅所在的半边测试片的电阻值；接着再进行另一次预扩散工艺；工艺完成后再次使用氢氟酸溶液剥除测试片的所有氧化层，测量后一次参与反应的半边测试片的电阻值，完成整个测试片复用。实施本发明专利技术的技术方案并将其投入生产工艺后，其突出效果体现在：一者操作简便且成本低廉；再者使用本发明专利技术多次复用方法可以提高测试片的重复利用率，降低成本两倍以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
的一种成本优化方案，尤其涉及一种用于磷/硼预扩散工艺的测试片的多次复用方法。
技术介绍
正常的测试片的使用方法如下在磷/硼预扩散工艺中放置测试片；随着工艺的完成，在生产片和测试片表面上生长有一层富磷/硼的氧化层，以及在两片体内扩散到一定结深的N/P型层；通常采用氢氟酸剥掉测试片表面的富磷/硼的氧化层，测量正反面电阻值；降档为假片或陪片使用。该工艺流程简单，但对于CPK>1. 33，甚至CPK>1. 67以上的工艺，工艺的准确性和精确性都及其稳定，片内的均匀性稳定一致，不需要检测多点值。测试片只用过一次就降档，不利于控制成本。
技术实现思路
鉴于上述现有测试片利用率低下、消耗甚巨的缺陷，本专利技术的目的是提出一种，以提高测试片的利用效率。本专利技术的上述目的，其技术解决方案为，其特征为包括步骤1、1200°C的湿氧气氛下；在新的测试片上生长一层氧化层；I1、使用氢氟酸溶液刻蚀去除测试片表面一半的氧化层直至露出裸硅，被去除的所述测试片表面一半包括上表面和下表面；II1、将一半具有氧化层的测试片投入正常使用，且使用后采用氢氟酸溶液剥除所有氧化层，测本文档来自技高网...

【技术保护点】
磷硼预扩散工艺用测试片的复用方法，其特征为包括步骤：Ⅰ、1200℃的湿氧气氛下；在新的测试片上生长一层氧化层；Ⅱ、使用氢氟酸溶液刻蚀去除测试片表面一半的氧化层直至露出裸硅，被去除的所述测试片表面一半包括上表面和下表面；Ⅲ、将一半具有氧化层的测试片投入正常使用，且使用后采用氢氟酸溶液剥除所有氧化层，测量原裸硅所在的半边测试片的电阻值；Ⅳ、继续使用步骤Ⅲ测试电阻值后的测试片，进行另一次预扩散工艺；工艺完成后再次使用氢氟酸溶液剥除测试片的所有氧化层，测量后一次参与反应的半边测试片的电阻值，完成整个测试片复用。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵峰，刘明，
申请(专利权)人：康可电子无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：