半导体器件、存储器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种半导体器件、存储器。通过形成一尺寸较大的凹槽，并利用第二介质层部分填充凹槽，从而在凹槽和第二介质层的共同限定下构成一尺寸较小的接触窗。即，本实用新型专利技术提供的半导体器件中，由于所形成的凹槽的尺寸较大，因此其制备难度也较低，例如在定义出凹槽的图形时，所执行的光刻工艺的工艺窗口较大，以及可仅执行一道光刻工艺即可，不仅有利于减低半导体器件的制备难度，并且可进一步简化工艺流程，从而可使所形成的半导体器件的尺寸和形貌也更为精确，有效提高了所形成的半导体器件的产品良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件、存储器
本技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体器件，以及一种存储器。
技术介绍
集成电路制作技术是一个复杂的工艺，技术更新很快。表征集成电路制作技术的一个关键参数为最小特征尺寸，即关键尺寸(criticaldimensionCD)，随着关键尺寸的减小才使得在每个芯片上设置百万个器件成为可能。然而，另一方面也导致得光刻工艺的窗口越来越小。例如，在一种半导体器件的制备过程中，需形成通孔以构成接触窗，以通过所述接触窗暴露出接触区。当所形成的接触窗的尺寸较大时，则可利用一道光刻工艺直接定义出所述接触窗的图形。然而，随着半导体器件尺寸的不断缩减，需形成的接触窗的尺寸也随之减小，为此，需相应的要求光刻工艺具备较高的分辨率，从而方可精确地定义出接触窗的图形，并确保通过所述接触窗能够暴露出接触区。并且，由于光刻工艺的精度限制，当需形成的接触窗的尺寸缩减至一定程度时，仅利用一道光刻工艺已无法制备出符合规格的接触窗，从而需结合多个光刻工艺以制备出尺寸较为精确的接触窗。由此可见，随着半导体器件的尺寸趋于减小，在其制备的过程中，不仅要求光刻工艺具备较高的分辨率，并且需执行的光刻工艺的次数也本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，包括：一衬底，所述衬底中形成有至少一个接触区；一第一介质层，形成在所述衬底上，且所述第一介质层中开设有至少一个贯穿所述第一介质层的凹槽，所述衬底在所述凹槽的高度投影区中包含所述接触区，并且在平行于所述衬底表面的方向上，所述凹槽的尺寸大于等于所述接触区的尺寸，每一所述接触区对应一个所述凹槽；一第二介质层，形成在所述凹槽的侧壁上，由所述第二介质层界定出一接触窗，通过所述接触窗暴露出所述接触区；以及，一导电层，填充在所述接触窗中并与所述接触区电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：一衬底，所述衬底中形成有至少一个接触区；一第一介质层，形成在所述衬底上，且所述第一介质层中开设有至少一个贯穿所述第一介质层的凹槽，所述衬底在所述凹槽的高度投影区中包含所述接触区，并且在平行于所述衬底表面的方向上，所述凹槽的尺寸大于等于所述接触区的尺寸，每一所述接触区对应一个所述凹槽；一第二介质层，形成在所述凹槽的侧壁上，由所述第二介质层界定出一接触窗，通过所述接触窗暴露出所述接触区；以及，一导电层，填充在所述接触窗中并与所述接触区电性连接。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底上形成有多个所述接触区，所述第一介质层中形成有多个所述凹槽，所述第一介质层还具有至少一连通开口，形成于相邻的所述凹槽之间，以使相邻的所述凹槽相互连通，所述第二介质层填充所述连通开口以构成一瓶颈封闭，以使相邻的所述接触窗相互隔离。3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，在垂直于所述连通开口的侧壁的方向上，所述连通开口的宽度尺寸小于等于2倍的所述第二介质层的沉积厚度，...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：睿力集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34